[发明专利]一种晶圆传送时间的控制方法、装置及系统

说明书

本申请公开了一种晶圆传送时间的控制方法、装置及系统。方法包括：获取当前待研磨的目标晶圆；基于云数据确定目标晶圆的在各个研磨工位的处理时长，其中，云数据包括历史晶圆在各个研磨工位的历史处理时长；获取目标晶圆传送至研磨工位的传送时长，并根据处理时长以及传送时长确定目标晶圆的传送起始时间；根据传送起始时间生成控制指令，并向机器人发送控制指令，控制指令用于控制机器人根据传送起始时间将目标晶圆传送至研磨工位。本申请通过云数据预测目标晶圆在各个研磨工位的处理时长，并结合传送时长能够得到传送晶圆的最佳时刻，从而解决晶圆在进入每个研磨工位前出现的排队情况，避免晶圆受到研磨工位所产生颗粒的破坏，保证晶圆的良率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆传送时间的控制方法、装置及系统。

背景技术

随着半导体芯片制造技术的发展，200mm及以上晶圆的化学机械平坦化工艺(chemical mechanical planarization,后简称CMP)在芯片生产中的作用和要求也就越来越高。芯片器件越来越小，线宽越来越窄和电性隔离的要求越来越高，这对CMP研磨机台的性能要求也是越来越严格，包括defect，效率，稳定性等参数。

CMP在研磨晶圆时首先通过传送工位将晶圆传到第一研磨工位进行研磨工艺，其次研磨完的晶圆经过传送工位传送到第二研磨工位进行清洗工艺，最后清洗完成的晶圆在经过传送工位传回。目前的设计是晶圆进入传送工位则立即被传送到等待工位来等待研磨工位的工艺完成，一旦完成则立即传送进研磨工位研磨，研磨完的晶圆也是立即会传送到等待工位进行等待清洗工位的工艺结束。

在实现本发明的过程中，发明人发现机台硬件磨损等原因而形成的颗粒掉落在晶圆表面，从而会导致巨型弧状刮伤，细小划伤，表面沾污等不良，这些不良直接导致晶圆的良率下降，芯片的线宽越小这种碎片或者颗粒的对晶圆良率的影响就越明显。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种晶圆传送时间的控制方法、装置及系统。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种晶圆传送时间的控制方法，包括：

获取当前待研磨的目标晶圆；

基于云数据确定所述目标晶圆的在各个研磨工位的处理时长，其中，所述云数据包括历史晶圆在各个研磨工位的历史处理时长；

获取所述目标晶圆传送至所述研磨工位的传送时长，并根据所述处理时长以及所述传送时长确定所述目标晶圆的传送起始时间；

根据所述传送起始时间生成控制指令，并向机器人发送所述控制指令，其中，所述控制指令用于控制所述机器人根据所述传送起始时间将所述目标晶圆传送至所述研磨工位。

进一步地，在基于云数据确定所述目标晶圆的在各个研磨工位的处理时长之前，所述方法还包括：

获取历史时间内执行各种研磨类型的多个历史晶圆；

采集所述历史晶圆在各个研磨工位的历史处理时长；

将所述历史晶圆以及所述历史晶圆的历史处理时长按照所述研磨类型进行存储，生成所述云数据。

进一步地，所述基于云数据确定所述目标晶圆的在各个研磨工位的处理时长，包括：

确定所述目标晶圆对应的目标研磨类型；

从所述云数据中获取所述目标研磨类型相匹配的目标历史处理时长；

计算所述目标历史处理时长的加权平均值，并将所述加权平均值确定为所述处理时长。

进一步地，所述研磨工位至少包括：第一研磨工位以及第二研磨工位；