[发明专利]一种半导体晶面镀膜仪器在审
| 申请号: | 202110830236.8 | 申请日: | 2021-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN113571451A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
| 发明(设计)人: | 莫福好 | 申请(专利权)人: | 广州皓景数码科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 刘英 |
| 地址: | 510000 广东省广州市天河区中山大道中439*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 镀膜 仪器 | ||
本发明公开了一种半导体晶面镀膜仪器,包括底座,所述底座内设有向上开口的清洗框,所述清洗框内固定设有放置底座,本发明的一种半导体晶面镀膜仪器,本设备中设有运转装置,运转装置通过负压吸附的方式配合软塑胶吸附头,能够快速的进行晶圆的工序转进,且能够尽可能的减少运输途中对晶圆表面的磨损;同时装置设有清洗覆膜装置,当晶圆进入装置内部时,清洗装置能够快速的清洁晶圆上下表面同时,通过依次覆膜的方式,完整的清洗传统设备中难以清洁到的晶圆下表面,且清洗后将下表面一并覆膜,其在提升了清洁效率的同时,有效的解决了晶圆下表面难以清洁及覆膜困难的问题。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体为一种半导体晶面镀膜仪器。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,其中,硅单晶和锗单晶主要应用于光学领域,如太阳能电池、红外光学镜头及窗口等;现有的工序中,在将晶圆切片后需要进行清洗,而后到达下一步的蚀刻工序,通常的清洗后需要进行覆膜处理,防止晶圆本身在运输途中出现损耗,但现有的清洗设备效率低下,不利于生产的提高,同时晶圆的清洗和覆膜通常只有上表面得到保护,但在实际使用过程中,晶圆下表面通常受到磨损较多,且由于清洗装置通常是需要将晶圆放置在清洁设备上,其底部难以得到清洁,针对这种情况,本发明做出了改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体晶面镀膜仪器,解决了上述的问题。
本发明是通过以下技术方案来实现的。
本发明的一种半导体晶面镀膜仪器,包括底座,所述底座内设有向上开口的清洗框,所述清洗框内固定设有放置底座,所述放置底座内滑动设有放置台,所述放置台上端延伸至所述放置底座上侧,所述放置台下侧通过弹簧弹性连接所述放置底座的底壁,所述底座内设有升降阀,所述升降阀通过弹簧上下滑动连接有升降器,所述升降器上侧延伸至所述底座上侧连接有顶盖,所述顶盖位于所述清洗框的上侧用于封闭所述清洗框的上侧开口,所述底座内位于所述清洗框两侧对称设有原料卷及运转卷,所述运转卷后侧设有动力电机与其连接,所述原料卷上的保护膜穿过所述清洗框与所述运转卷连接,所述运转卷下侧连接有受力齿轮,所述受力齿轮右侧通过半齿轮连接有往返器,所述往返器后侧延伸至所述清洗框下侧啮合连接有旋转齿轮,所述旋转齿轮上对称连接有延伸至所述清洗框内的切割刀,所述顶盖在所述清洗框上侧设有透明盖,所述透明盖下侧连接有气压头,所述清洗框后侧连接有气泵,所述气泵与所述升降阀及所述放置底座连接,所述放置台上侧右壁连接有所述气压头,所述底座下侧设有水箱,所述水箱左侧连接有水泵,所述水泵左侧设有延伸至所述清洗框内的喷水管,所述清洗框左侧下端连接有废水箱。
优选地,所述底座后侧左右对称设有运送带,所述底座后侧滑动连接有齿条,所述齿条之间连接有向前侧开口上下连通的晶圆座,所述晶圆座内均匀设有分隔板,所述运送带上设有抓勾。
优选地,所述底座前侧设有抓取器,所述抓取器内设有负压泵,所述抓取器上设有向后延伸的吸附头,所述负压泵通过负压管与所述吸附头连接。
优选地,所述底座前侧左右对称连接有传送带,所述底座前侧位于所述传送带两侧对称设有限位块,所述传送带上安装所述抓取器,所述抓取器内滑动设有左右对称的压力按钮,所述压力按钮一端延伸至所述抓取器外侧,所述压力按钮一侧通过弹簧与所述抓取器连接,所述压力按钮之间滑动设有切换轴,所述切换轴穿过所述负压管。
优选地,所述底座后侧设有电机,所述电机后侧动力连接有传送齿轮,所述电机后侧连接有运行齿轮,所述运行齿轮一侧与所述齿条啮合连接,所述电机后侧通过皮带与另一侧的所述运行齿轮及所述传送齿轮连接。
优选地,所述喷水管设有上下两个倾斜喷口。
优选地,所述切割刀底部从所述清洗框下侧延伸至所述清洗框内,其上部略大于其底部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





