[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。通过在半导体基体上设置两组或两组以上并联的基极与发射极，从而形成相互隔离的电池，使电极的长度以及电流的传输距离缩短，继而降低内阻，提高电池的转换效率；由于直接在同一半导体基体上设置多个相互并联的电池，无需对半导体基体进行切割，不仅简化了生产工艺，同时可避免因焊接各半片电池片而产生外部电阻。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

背接触异质结电池是一种高转换效率的单晶硅太阳能电池。背接触异质结太阳能电池正面没有任何电极分布，发射极和基极交叉排列于电池背面，分别收集晶体硅光伏效应产生的光生正载流子与负载流子，由于电池正面没有金属电极栅线遮挡产生的光学损失，可有效增加电池片的短路电流，提高了转换效率。背接触异质结太阳能电池中，在P型非晶硅或N型非晶硅与单晶硅基底之间插入一层本征非晶硅，有效改善了单晶硅表面的钝化效果，极大提高了少数载流子寿命，可获得极高的开路电压，从而提高了转换效率。背接触异质结单晶硅太阳能电池结合了上述两种技术的优点，可获得极高的光电转换效率。

通常在太阳能电池中，由于电池内阻的存在，产生功率损耗，降低了电池的转换效率。为降低内阻引起的损耗，缩短电流在栅线上的传输距离成为一种有效的方法，因此，半片电池片技术广泛应用于组件制作工艺之中。但是采用半片技术需要将整片硅片或电池片切割为半片，在制作半片组件时，用组件焊带、汇流条将半片电池进行焊接，造成了外部电阻的引入，产生较大的功率损耗。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种太阳能电池，包括：

半导体基体；

至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及

第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。

进一步地，所述基极的一端设有基极连接端，所述发射极的一端设有发射极连接端，所述相邻的两组间的基极连接端相连，且相邻的两组间的发射极连接端相连。

进一步地，所述每一组内基极与发射极在所述半导体基体的背面上交替排列分布，且在相邻的基极与发射极之间形成第一间隔区间，在相邻的两组基极与发射极之间形成第二间隔区间。

进一步地，还包括保护膜，所述保护膜设置于所述第一间隔区间与第二间隔区间内。

进一步地，所述半导体基体的正面依次层叠有第一本征非晶硅钝化层、N掺杂层、抗反射层，所述半导体基体的背面设置有第二本征非晶硅钝化层，所述每一组基极与发射极设置于所述第二本征非晶硅钝化层上。

进一步地，所述半导体基体为N型单晶硅片或P型单晶硅片；

和/或，所述基极为n型非晶硅薄膜，所述发射极为p型非晶硅薄膜。

本发明还提出一种太阳能电池制作方法，包括如下步骤：

在半导体基体的背面镀膜形成至少两组并联连接的基极与发射极；

在所述基极与发射极上制备至少两组并联连接的第一电极、第二电极。

进一步地，还包括如下步骤：

在相邻的基极与发射极之间，以及在相邻的两组基极与发射极之间镀膜形成保护膜。

进一步地，还包括如下步骤：