[发明专利]具有漏极选择栅切割结构的三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

芯区域；以及

阶梯区域，包括多个梯级，所述多个梯级均至少包括在横向方向上延伸的导体/电介质对，

其中，所述芯区域包括沿着所述横向方向和垂直于所述横向方向的垂直方向延伸的第一漏极选择栅(DSG)切割结构，

其中，所述阶梯区域包括：

沿着所述横向方向和所述垂直方向延伸的第二漏极选择栅(DSG)切割结构；以及

沿着所述垂直方向在所述第二漏极选择栅切割结构中延伸的多个支撑结构，其中，所述支撑结构中的至少一个支撑结构沿着所述横向方向的尺寸大于沿着正交于所述横向方向的第二横向方向的尺寸。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，沿着所述第二横向方向，所述支撑结构中的所述至少一个支撑结构的所述尺寸大于所述第二漏极选择栅切割结构的尺寸。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中，沿着横向平面，所述支撑结构中的所述至少一个支撑结构具有椭圆形形状或矩形形状中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中，所述多个支撑结构均包括椭圆形形状并且沿着所述横向方向均匀地布置。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的三维存储器件，其中，所述第二漏极选择栅切割结构的尺寸沿着所述垂直方向大于或等于四对导体/电介质对的尺寸。

6.根据权利要求5所述的三维存储器件，其中，沿着所述垂直方向，所述多个支撑结构的尺寸大于或等于所述第二漏极选择栅切割结构的所述尺寸。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其中，所述多个支撑结构延伸到所述阶梯区域的底部。

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的三维存储器件，其中，所述第二漏极选择栅切割结构从所述多个梯级的表面延伸至所述阶梯区域的底部。

9.根据权利要求1至4中的任一项所述的三维存储器件，其中，所述第二漏极选择栅切割结构和所述多个支撑结构包括氧化硅或氮氧化硅中的至少一种。

10.根据权利要求1至4中的任一项所述的三维存储器件，还包括在所述第二漏极选择栅切割结构外部的第二支撑结构，其中，所述第二支撑结构沿着所述横向方向的尺寸大于沿着所述第二横向方向的尺寸。

11.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中，所述第二支撑结构和所述多个支撑结构具有相同的形状、相同的尺寸和相同的材料。

12.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：

在衬底之上形成包括多个第一电介质层/第二电介质层对的电介质堆叠体；

在所述电介质堆叠体的芯区域中形成第一漏极选择栅(DSG)切割开口；

形成阶梯结构，所述阶梯结构包括在所述电介质堆叠体的阶梯区域中沿着横向方向延伸的多个梯级；

在与形成所述第一漏极选择栅切割开口的步骤不同的步骤中，在所述阶梯区域中形成沿着所述横向方向延伸的第二漏极选择栅切割开口；并且

在所述第一漏极选择栅切割开口中形成第一漏极选择栅切割结构，并在所述第二漏极选择栅切割开口中形成第二漏极选择栅切割结构。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在与形成所述第二漏极选择栅切割开口的步骤相同的步骤中，形成多个支撑开口，所述多个支撑开口在所述阶梯区域中沿着垂直于所述横向方向的垂直方向延伸并且与所述第二漏极选择栅切割开口至少部分地重叠；并且

在所述多个支撑开口中形成多个支撑结构。