[发明专利]一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法有效

专利信息
申请号: 202110826699.7 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113529019B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 徐仕立 申请(专利权)人: 东莞市晶博光电股份有限公司
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/32;C23C14/35
代理公司: 东莞科强知识产权代理事务所(普通合伙) 44450 代理人: 李英华
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 离子镀 磁控溅射 制备 仿生 ar 方法
【说明书】:

发明涉及AR技术领域,具体涉及一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法,它包括以下步骤:步骤1、对基片进行清洗干燥;步骤2、采用多弧离子镀,利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴,液滴在电场作用下沉积在基片表面,形成0.5‑3微米厚的硅纳米乳突;步骤3、磁控溅射镀硅光学膜,该光学膜的厚度300纳米以内,得到超硬仿生AR片,本发明利用多弧离子镀和磁控溅射镀相结合的方式,可以实现该种结构的仿生消反效果,同时可以实现大批量生产,并且成本低廉,还可以实现3D造型。

技术领域

本发明涉及AR技术领域,具体涉及一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法。

背景技术

3D仿生成像技术是光学成像的一种显示方式,利用全息玻璃或全息膜通过光的折射、散射、甚至衍射而达到的一个立体感相当强的画面。

而AR是通过现场实景再辅以计算机软件,让虚拟的东西与现实场景相结合,同步显示在大屏幕上,但目前市面上的仿生AR技术普遍采用纳米压印技术实现,工序复杂,成本高昂,且尺寸越大成本越高,对3D造型也不适用。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种工艺简单、成本低的利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法。

本发明的目的通过下述技术方案实现:一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法,它包括以下步骤:

步骤1、对基片进行清洗干燥;

步骤2、采用多弧离子镀,利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴,液滴在电场作用下沉积在基片表面,形成0.5-3微米厚的硅纳米乳突;

步骤3、磁控溅射镀硅光学膜,该光学膜的厚度300纳米以内,得到超硬仿生AR片。

步骤1所述基片为玻璃或蓝宝石。

步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突,纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。

步骤2中的液滴的直径控制在1um。由于目前液滴只能控制在1um左右,所以对可见光透过率会有一定的损失,所以增加磁控溅射光学膜进行弥补。

所述清洗采用的质量浓度5%、温度60℃-70℃的碳酸钠溶液清洗5-10分钟。

步骤2的多弧离子镀具体为:

第一:将基片安装在多弧离子镀设备的基片台上作为阳极,将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极;抽真空度至2×10-3~8×10-4Pa后,通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2~0.8Pa范围;

第二:预热基材至200℃~500℃;放电电压15V~20V、电流50A~80A、沉积速率为3~5μm/min;在该条件下液滴的沉积时间5~15分钟;

第三:将沉积有液滴基材进行1100~1250℃高温扩散处理,扩散时间10~60min,形成纳米乳突。

步骤3的磁控溅射镀具体为:

第一:将基片安装在磁控溅射仪的阳极板上;再将硅靶放入磁控溅射仪中,作为阴极;抽真空度至10-2~10-3Pa后,通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1~10Pa 范围;

第二:预热基材至500℃~800℃;放电电压280V~350V、电流0.2A~0.6A、沉积速率为0.5~1.2μm/min,在该条件下进行表面硅薄膜沉积;

第三:进行1000~1250℃高温扩散,扩散时间5~60min,得到超硬仿生AR片。

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