[发明专利]基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法

权利要求书

1.一种基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，

所述VCSEL芯片包括：

外延结构，以及形成在所述外延结构上的电镀种子层，所述电镀种子层包括TiW层和Au层，所述外延结构与所述电镀种子层之间具有SiN钝化层，且所述SiN钝化层覆盖划片道区域的所述外延结构上表面；

所述方法包括：

(1)对所述Au层进行第一湿法刻蚀；其中，所述第一湿法刻蚀利用KI溶液进行；

(2)对所述TiW层进行ICP干法刻蚀和第二湿法刻蚀，完成所述电镀种子层金属的刻蚀；其中，所述第二湿法刻蚀利用双氧水或含氟试剂进行。

2.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述KI溶液的浓度为10％～30％。

3.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀进行的时间为1min～3min。

4.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述干法ICP刻蚀的操作条件包括：使用30sccm～70sccm的氟基气体、30sccm～70sccm的惰性气体，在100W～500W的上电极ICP功率下进行电离，提供反应所需的等离子体；在20W～60W的下电极bias功率下，制造加速电场，进行物理轰击；处理压力为0.5Pa～1.0Pa，处理温度为10℃～30℃。

5.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述双氧水的浓度为10％～20％。

6.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述含氟试剂选自氢氟酸、BOE溶液中的至少之一。

7.根据权利要求6所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述含氟试剂的浓度为5％～20％。

8.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀进行的时间为15s～1min。

9.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述外延结构包括由下至上依次包括N接触层、N-DBR层、MQW层、氧化层、P-DBR层、P接触层。

10.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法，其特征在于，所述VCSEL芯片进一步包括衬底，所述衬底形成在所述外延结构的下表面。