[发明专利]一种微透镜阵列的制备方法及晶圆

权利要求书

1.一种微透镜阵列的制备方法，用于在晶圆表面制备微透镜阵列，其特征在于，包括：

在所述晶圆表面形成SU-8光刻胶层；

在所述SU-8光刻胶层的表面形成正性光刻胶微柱阵列；

对所述正性光刻胶微柱阵列进行热回流处理，以在所述SU-8光刻胶层的表面形成非球面形状结构阵列，所述非球面形状结构阵列作为所述SU-8光刻胶层的刻蚀掩膜；

对所述SU-8光刻胶层和所述非球面形状结构阵列进行刻蚀，直至去除所述非球面形状结构阵列，以将所述非球面形状结构阵列的形状转移至所述SU-8光刻胶层的表面上，从而在所述晶圆表面形成SU-8材质的微透镜阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列包括：平台结构和多个微透镜，所述多个微透镜在所述平台结构上方阵列排布；

所述在所述晶圆表面形成SU-8光刻胶层包括：

在所述晶圆表面涂覆SU-8光刻胶；

对涂覆的所述SU-8光刻胶进行光刻处理，生成预定厚度的SU-8光刻胶层，所述预定厚度不小于所述平台结构的高度与所述微透镜结构最大高度之和。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆表面形成有垂直腔面发射激光器阵列；

所述在所述晶圆表面形成SU-8光刻胶层包括：

在所述垂直腔面发射激光器阵列表面形成SU-8光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列中的一个微透镜的中心与所述垂直腔面发射激光器阵列中的一个垂直腔面发射激光器的中心对准。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成有所述垂直腔面发射激光器阵列的晶圆表面涂覆SU-8光刻胶；

所述在所述垂直腔面发射激光器阵列表面形成SU-8光刻胶层包括：

对涂覆的所述SU-8光刻胶进行光刻处理，以在所述垂直腔面发射激光器阵列表面形成SU-8光刻胶层，在所述晶圆表面的其他位置形成SU-8光刻胶刻蚀掩膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述SU-8光刻胶层的表面形成正性光刻胶微柱阵列包括：

对形成于所述SU-8光刻胶层表面的正性光刻胶层进行光刻处理，以在所述SU-8光刻胶层的表面形成所述正性光刻胶微柱阵列，

所述正性光刻胶微柱阵列中的一个正性光刻胶柱体对应形成所述非球面形状结构阵列中的一个非球面形状结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成有所述SU-8光刻胶层的晶圆表面涂覆正性光刻胶；

所述对形成于所述SU-8光刻胶层表面的正性光刻胶层进行光刻处理，以在所述SU-8光刻胶层的表面形成所述正性光刻胶微柱阵列包括：

对涂覆的正性光刻胶进行光刻处理，以在所述SU-8光刻胶层的表面形成正性光刻胶微柱阵列，在所述晶圆表面的其他位置形成正性光刻胶刻蚀掩膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述正性光刻胶微柱阵列进行热回流处理包括：

在空气或氮气气氛下，利用热板或烘箱将形成有所述正性光刻胶微柱阵列的晶圆加热至预定温度区间，并在预定时长内将温度维持在所述预定温度区间，

所述预定温度区间内的温度大于或等于所述正性光刻胶的玻璃化温度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述SU-8光刻胶层和所述非球面形状结构阵列进行刻蚀包括：

采用预定组分比例的刻蚀气体对所述SU-8光刻胶层和所述非球面形状结构阵列进行等离子体刻蚀；

所述刻蚀气体的组分比例是根据所述正性光刻胶的刻蚀速率和所述SU-8光刻胶的刻蚀速率确定的。

10.一种表面形成有微透镜阵列的晶圆，其特征在于，包括：

基底；

形成于基底表面上的垂直腔面发射激光器阵列；

以及，形成于所述垂直腔面发射激光器阵列表面上的微透镜阵列，所述微透镜阵列为根据上述权利要求1-9中任意一项所述微透镜阵列的制备方法制备得到的微透镜阵列。