[发明专利]忆阻器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110825496.6 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113555502A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 冯雪;孟艳芳;马寅佶 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 忆阻器 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括第一银线、第二银线和绝缘层,所述绝缘层为氧化银,所述绝缘层被夹在所述第一银线和所述第二银线之间。忆阻器的制备方法包括提供所述第一银线和所述第二银线,对所述第一银线和/或所述第二银线进行表面处理,得到所述绝缘层,将所述第一银线和所述第二银线叠放,形成依次排列的银线、绝缘层、银线结构。

技术领域

本申请属于柔性电子器件领域,尤其涉及一种忆阻器及其制备方法。

背景技术

柔性电子技术是指以传感器技术、新材料技术、微机电加工技术为基石的具有传感、存储、逻辑计算、能量采集、调节、反馈信号等多种功能的电子装置或电子系统,以其可贴合、可拉伸等方面,在信息、国防、医疗、能源等领域具有广泛应用前景,有力地推动了产业技术的变革与社会的进步。

随着柔性电子技术的不断深入发展,可穿戴、可贴合的电子元件(包括芯片)是柔性电子的重要发展方向。忆阻器是芯片中最基本的存储单元,通过控制电流的变化可改变忆阻器的阻值,为有记忆功能的非线性电阻器件。

目前可穿戴的忆阻器是一个重点研究方向。Hagyoul Bae等人公开了基于Al/pEGDMA涂覆的棉线的编织型忆阻器,但是其体系比较复杂,成本比较高。如何实现低成本、简单地制备忆阻器,是亟待解决的问题。

发明内容

为了改善或解决背景技术提到的至少一个问题,本申请提供了一种忆阻器及其制备方法。

该忆阻器包括第一银线、第二银线和绝缘层,所述绝缘层为氧化银,所述绝缘层被夹在所述第一银线和所述第二银线之间。

在至少一个实施方式中,所述绝缘层设置在所述第一银线和所述第二银线的其中一者的周面上。

在至少一个实施方式中,所述绝缘层设置在所述第一银线和所述第二银线的交叉位置处。

在至少一个实施方式中,所述第一银线和所述第二银线的周面上都设置有所述绝缘层。

在至少一个实施方式中,所述忆阻器包括多根所述第一银线和多根所述第二银线,多根所述第一银线和多根所述第二银线被设置成横纵编织的忆阻器阵列。

在至少一个实施方式中,所述第一银线和所述第二银线的长度为3~5厘米,直径为10~20微米。

在至少一个实施方式中,所述绝缘层的厚度为80~200纳米。

本申请提供的忆阻器的制备方法中的所述忆阻器为如前所述的忆阻器,所述忆阻器的制备方法包括:

提供所述第一银线和所述第二银线;

对所述第一银线和/或所述第二银线进行表面处理,得到所述绝缘层;以及

将所述第一银线和所述第二银线叠放,形成依次排列的所述第一银线、所述绝缘层、所述第二银线结构。

在至少一个实施方式中,所述第一银线和/或所述第二银线进行表面处理的方法为等离子体表面处理或紫外臭氧表面处理。

在至少一个实施方式中,在所述等离子体表面处理的过程中,用到的氧气的流量被控制在30~90标准毫升/分钟,等离子体设备的功率被控制在50~200瓦,等离子体表面处理时间被控制在1~3秒,

在所述紫外臭氧表面处理的过程中,臭氧设备的功率被控制在50~200瓦,紫外臭氧表面处理的时间被控制在20~40分钟。

本申请提供的忆阻器采用氧化银作为绝缘层,银作为电极层,整体采用银体系,忆阻器的开关比高、操作电压低、具有较高的循环稳定性。采用本申请提出的制备方法制备的忆阻器,具有柔性好、成本低、制备简单的优点。

附图说明

图1示出了根据本申请实施方式的忆阻器的结构示意图。

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