[发明专利]有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202110824961.4 | 申请日: | 2021-07-21 |
| 公开(公告)号: | CN113555407A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
| 发明(设计)人: | 井杨坤 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本公开的有机电致发光显示基板,包括设置于衬底基板上的像素界定层,像素界定层包括平坦部和开口部;有机电致发光显示基板还包括微纳复合薄膜,微纳复合薄膜覆盖像素限定层的平坦部和开口部;其中,覆盖平坦部的微纳复合薄膜在光照环境下可由疏水性变为亲水性;覆盖所述开口部的微纳复合薄膜在暗态环境下可由亲水性变为疏水性。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)属于一种新型电流型半导体发光器件,是通过控制该器件载流子的注入和复合激发有机材料发光显示,属于一种自主发光技术。与被动发光的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,自主发光的OLED显示器具有响应速度快、对比度高、视角广等优点,并且容易实现柔性显示,被业内普遍看好,业界一致认为OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。
目前,OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜均通过真空热蒸镀工艺制备,即在真空腔体内加热有机小分子材料,使其升华或者熔融气化成材料蒸汽,通过金属掩模版的开孔沉积在玻璃基板上。但由于真空热蒸发制备成本高,限制了OLED显示器的大范围商业化。喷墨打印(Ink-jetPrinting,IJP)具有材料利用率高等优点,是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术,IJP技术在OLED器件发光层的制备中,相比于传统的真空蒸镀工艺,具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点,所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料油墨滴入预定的像素区域,之后通过干燥获得所需图案薄膜。
然而,由于不同油墨的亲水性不同,对于亲水性好的油墨,会在挡墙的倾斜内面上爬坡较高,形成凹形膜层,对于亲水性不好的油墨,会在挡墙的凹槽内形成凸形膜层,造成干燥后各像素区域发光元件功能层的薄膜厚度不均匀,不仅会影响OLED器件发光的均匀性,使OLED器件的品质下降。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置。
第一方面,本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板,包括设置于衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层包括平坦部和开口部;所述有机电致发光显示基板还包括微纳复合薄膜,所述微纳复合薄膜覆盖所述像素限定层的平坦部和开口部;
其中,所述覆盖所述平坦部的微纳复合薄膜在光照环境下可由疏水性变为亲水性;所述覆盖所述开口部的微纳复合薄膜在暗态环境下可由亲水性变为疏水性。
可选地,所述微纳复合薄膜包括由氧化物形成的纳米棒阵列结构、针尖状阵列结构、六角形阵列结构中的至少一种。
可选地,所述氧化物包括氧化锌、氧化钛、氧化锡中的至少一种。
可选地,所述覆盖所述平坦部的微纳复合薄膜中设置有导电粒子。
第二方面,本公开实施例提供一种有机电致发光显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
通过构图工艺在所述衬底基板上形成像素限定层,所述像素限定层包括平坦部和开口部;
在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜。
可选地,在所述平坦部和开口部上形成微纳复合薄膜,具体包括:
采用水热法在所述平坦部和所述开口部上形成所述微纳复合薄膜。
可选地,在所述平坦部和所述开口部上形成微纳复合薄膜的步骤之后还包括:在所述开口部内形成有机电致发光器件功能层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





