[发明专利]SmFeN永磁体及其制备方法、电机

权利要求书

1.一种SmFeN永磁体，其特征在于，包括：

多个SmFeN晶粒；

位于所述多个SmFeN晶粒之间的晶界相，所述晶界相包括X与SmFeN反应的产物，其中，所述X为熔点低于800℃的金属单质或合金；所述晶界相在所述SmFeN永磁体的至少一外表面的含量大于所述晶界相在所述SmFeN永磁体的中心的含量，所述晶界相在所述SmFeN永磁体中的含量从所述SmFeN永磁体的至少一外表面朝所述SmFeN永磁体的中心变少。

2.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述X为熔点低于600℃的金属单质或熔点低于600℃的合金。

3.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，当所述X为熔点低于800℃的金属单质，所述X为Zn、Al、Sn、Mg、Ga、Bi、Pt、In中的一种。

4.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，当所述X为熔点低于800℃的合金，所述X包括稀土族金属与另外的金属，其中所述稀土族金属为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Y中的一种或多种，所述另外的金属为Fe、Cu、Zn、Al、Mg、Ga、Co、Zr、Mo、V、Sn、Bi、Pt、In、Nb中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述晶界相还包括熔点低于800℃的金属单质或合金。

6.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述SmFeN晶粒的晶体结构包括Th2Zn17型和TbCu7型，其中TbCu7型结构晶粒在所述SmFeN晶粒中的体积占比≤10%。

7.根据权利要求6所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述TbCu7型结构晶粒在所述SmFeN晶粒中的体积占比低于5%。

8.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述晶界相包裹SmFeN晶粒的厚度大于1nm小于500nm。

9.根据权利要求1所述的SmFeN永磁体，其特征在于，所述SmFeN永磁体的密度为7.2g/cm³-7.7g/cm³，最大磁能积≥25MGOe。

10.一种SmFeN永磁体的制备方法，其特征在于，包括：

提供平均粒度≤10μm的SmFeN磁粉；

在保护气氛或有机溶剂的环境下，对所述SmFeN磁粉进行磁场取向和压制，然后进行等静压制成冷坯磁体；

制备熔点低于800℃且为薄片或粉末状的金属单质或合金；

将所述金属单质或合金覆盖在所述冷坯磁体的至少一表面，并在低于600℃的温度下进行热扩散致密化处理，所述热扩散致密化处理的过程中从所述冷坯磁体具有所述金属单质或合金的表面施加压力挤压所述冷坯磁体。

11. 根据权利要求10所述的SmFeN永磁体的制备方法，其特征在于，所述SmFeN磁粉的氧含量低于5000 ppm。

12.根据权利要求10或11所述的SmFeN永磁体的制备方法，其特征在于，提供平均粒度≤10μm的SmFeN磁粉的步骤为提供平均粒度≤5μm的SmFeN磁粉。

13.根据权利要求10或11所述的SmFeN永磁体的制备方法，其特征在于，所述冷坯磁体的密度在4.0g/cm³-5.0g/cm³。

14.根据权利要求10或11所述的SmFeN永磁体的制备方法，其特征在于，对所述SmFeN磁粉进行取向采用的磁场的强度为1.0T-2.0T。