[发明专利]一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺

权利要求书

1.一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在晶圆的SAW滤波器的金属电极图形区域，分别设置金属凸点，得到键合晶圆，其中，多个金属凸点结构分布在每个SAW滤波器周边；

S2、将具有金属凸点的SAW滤波器晶圆切割及分片，得到带有金属凸点的SAW滤波器芯片；

S3、将带有金属凸点的SAW滤波器芯片倒装放置于封装基板上，并使金属凸点的位置与封装基板金属电极的位置相对应；

S4、将金属凸点焊接在封装基板上，以使SAW滤波器芯片和封装基板之间合围形成空腔结构，并实现芯片和封装基板间的电气互联；

S5、将S4得到的构件在氮气氛围下，采用聚合物薄膜在SAW滤波器芯片表面进行贴膜，贴膜后固化，得到聚合物薄膜将SAW滤波器芯片顶部和边缘完全包裹的结构件；

S6、切割去除封装基板划道上的聚合物薄膜，露出封装基板上切割道区域；

S7、划片切割，得到独立的SAW滤波器气密性封装器件。

2.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于：所述S2中，将具有金属凸点的SAW滤波器晶圆采用砂轮划片的方式进行切割及分片。

3.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于，所述S5包括：

S51、将所有完成倒装焊接后的SAW滤波器芯片和封装基板，放置于真空贴膜夹具中；

S52、采用聚合物薄膜材料在真空环境下进行贴膜，之后固化；

S53、固化后恢复至室温，得到聚合物薄膜将SAW滤波器芯片顶部和边缘完全包裹的结构件。

4.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于：所述S6中，采用激光切割方法将封装基板划道上的聚合物薄膜去除。

5.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于：所述S7中，采用砂轮划片方法进行切割，得到独立的SAW滤波器气密性封装器件。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于：在所述S6之后，在聚合物薄膜的覆盖区域的外侧包覆与封装基板固定的金属保护层。

7.根据权利要求6所述的一种SAW滤波器的芯片级气密性封装工艺，其特征在于：所述金属保护层包括溅射钛钨、铜形成的种子层，以及电镀铜、镍、金形成的金属层。