[发明专利]一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法及应用在审
| 申请号： | 202110818021.4 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113571605A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杜哲仁;陈春平;包杰;陈程;季根华;沈承焕;陈嘉;林建伟 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/268;H01L31/068;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军;李红 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 消除 钝化 接触 太阳电池 衰减 方法 应用 | ||
1.一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，取以N型硅片为衬底的钝化接触太阳电池；
步骤S2，采用特定光源对所述钝化接触太阳电池表面进行照射，以使钝化接触太阳电池的N型硅衬底中的H-转化成H0；
步骤S3，在步骤S2照射的过程中，共同将特定电压施加于所述钝化接触太阳电池的正负电极，以使H-驱除出所述N型硅衬底表面。
2.根据权利要求1所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，步骤S2中，所述特定光源为激光。
3.根据权利要求2所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，所述激光的照射方法为：采用照射区域大于所述钝化接触太阳电池面积的光斑对钝化接触太阳电池的受光面进行照射；
和/或，采用照射区域小于所述钝化接触太阳电池面积的光斑对钝化接触太阳电池的受光面进行扫描式照射。
4.根据权利要求1所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，所述特定光源至钝化接触太阳电池的距离为1～50cm。
5.根据权利要求2-3任一项所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，采用所述激光照射时，激光波长为800～1100nm、激光光强为50～1000kW/m2。
6.根据权利要求1所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，步骤S3中，所述特定电压为正偏压或负偏压。
7.根据权利要求6所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，所述特定电压为正偏压时，特定电压小于或等于0.85V。
8.根据权利要求6所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，所述特定电压为负偏压时，特定电压大于或等于-0.85V。
9.根据权利要求1所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法，其特征在于，所述特定光源的照射时间和所述特定电压的施加时间均为5～300s。
10.一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法的应用，其特征在于，将权利要求1-9任一项所述的一种用于消除钝化接触太阳电池氢致衰减的方法应用于具有隧穿氧化层/掺杂多晶硅层的TOPCon电池或具有本征非晶硅层/掺杂非晶硅层的SHJ电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
