[发明专利]一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法在审
| 申请号: | 202110816844.3 | 申请日: | 2021-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN113451153A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
| 发明(设计)人: | 夏乾华 | 申请(专利权)人: | 鑫金微半导体(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/42 |
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| 地址: | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 大功率 集成电路 半导体 模块 封装 方法 | ||
本发明提供一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法。通过提供中空灌注高比热容物质作为半导体集成电路或模块封装的金属封装外壳,进而在其基础上进行封装,此方法可以支持提高大功率集成电路模块半导体或模块成品的PD耗散功率,提高产品的可靠性。
技术领域
本发明属于集成电路半导体封装领域,一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法。
背景技术
目前传统的功率半导体或模块封装,比如整流桥,IGBT模块等,封装采用单一的金属外壳充当散热器或支架散热,因成品产品体积和金属比热容两大因素限制,成品封装体自身的PD耗散功率无法最大化,对于一些大功率高发热的晶圆因封装耗散功率限制而无法充分利用其电气性能,只能降额使用或外加更大的散热体,浪费了晶圆,并增加了使用成本,也增大了产品体积,降低了产品的性能。
发明内容
针对现有封装中的的缺陷,一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法,通过此方法可以增加封装外壳的比热容,提高封装成品的PD耗散功率,提高了产品的使用性能和增加了可靠性。
第一方面,封装成品的大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热,高散热性能,高比热容的金属封装外壳侧,该金属封装外壳采用复合结构。
优选地, 该金属封装外壳相对封装成品是全部包裹或部分包裹表现形式,封装外壳外部是高散热性和高热传导性能的金属材料外壳,内部中空,中空空间灌注比金属外壳更高比热容的固态,液态,或其气态物质。
优选地,复合结构的封装外壳内部中空空间灌注的高比热容物质,可灌满,也可以先期只灌装部分空间,不全满,产品未工作时内部没有全充满灌注物质,当产品工作时,内部灌注物质在固-液-气态间转换可以有体积膨胀加大吸热空间。
优选地, 该封装外壳可以是直接在上固定晶圆的支架形式,也可以是将晶圆和封装支架先固定,再将固定了晶圆的封装支架固定在上面的封装外壳。
附图说明:图一为示意图
注释:1.高比热容填充物2.晶圆
3.封装支架(有的场合可以不要)4.封装外壳(填充高比热容物质)
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本发明的保护范围。需要注意的是,除非另有说明,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
应当理解,当在本说明书和所附权利要求书中使用时,术语“包括”和 “包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解,在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样,除非上下文清楚地指明其它情况,否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
如在本说明书和所附权利要求书中所使用的那样,术语“如果”可以依据上下文被解释为 “当... 时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地,短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
实施例:
附图说明:图一为示意图
注释:1.高比热容填充物2.晶圆
3. 封装外壳(填充高比热容物质)4. 封装支架(有的场合可以不要)
第一方面,封装成品的大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热,高散热性能,高比热容的金属封装外壳侧,该金属封装外壳采用复合结构。
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