[发明专利]一种本振信号泄露抑制方法有效
| 申请号: | 202110816262.5 | 申请日: | 2021-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN113595583B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
| 发明(设计)人: | 马长春;袁海斌 | 申请(专利权)人: | 杭州永谐科技有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/525 | 分类号: | H04B1/525 |
| 代理公司: | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人: | 金慧玲 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 信号 泄露 抑制 方法 | ||
1.一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于包括直流电压叠加步骤、混频步骤和直流电压调整步骤;
所述直流电压叠加步骤,输入的射频信号通过宽带3dB电桥(04)被输出为一组相位相差90°的射频正交信号,一对可调的直流电压通过扼流电感(03)连接所述宽带3dB电桥(04)的输出端口,所述直流电压与所述射频正交信号叠加得到一组叠加的正交射频信号;
所述混频步骤,本振信号源(07)产生本振信号,所述本振信号通过本振3dB电桥(06)被输出为一组相位相差90°的本振正交信号,叠加的正交射频信号与本振正交信号均输入混频单元(05),所述混频单元(05)输出中频信号和本振泄露信号;
所述直流电压调整步骤,根据所述本振泄露信号对所述直流电压进行调整得到新的直流电压并依次重复直流电压输入步骤和混频步骤直至本振泄露信号抑制值达到预设的抑制基准值。
2.根据权利要求1所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述直流电压叠加步骤中,所述直流电压通过MCU(01)控制DAC(02)输出。
3.根据权利要求2所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述DAC(02)输出的所述直流电压为负压,所述DAC(02)包括24位的DAC芯片,所述DAC芯片的分辨率为1微伏。
4.根据权利要求1所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述直流电压叠加步骤中,所述扼流电感(03)为宽带锥形空心电感。
5.根据权利要求1所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述直流电压叠加步骤中,所述宽带3dB电桥(04)包括悬置微带线电路;所述混频步骤中,所述本振3dB电桥(06)包括悬置微带线电路。
6.根据权利要求1所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述直流电压叠加步骤、所述混频步骤和所述直流电压调整步骤中所有信号传输线均采用微带线和共面波导电路。
7.根据权利要求2所述的一种本振信号泄露抑制方法,其特征在于,所述本振信号源(07)和所述本振3dB电桥(06)之间接入频谱分析仪,通过对本振信号进行扫频后,在频谱分析仪获得一组在信号输出端口泄露后的本振信号功率电平值,将此值写入MCU后,MCU根据计算公式计算得到DAC所需要输出的直流电压值;
其中,VTUNE为新的直流电压值,P1为频谱分析仪获得的一组在信号输出端口泄露后的本振信号功率电平值。
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