[发明专利]集成电路寿命预估方法及装置、电子设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202110815566.X 申请日: 2021-07-19
公开(公告)号: CN113609760A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 阳辉;钟征宇 申请(专利权)人: 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司
主分类号: G06F30/27 分类号: G06F30/27;G01R31/28;G01D21/02;G06F119/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王毅
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 寿命 预估 方法 装置 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种集成电路寿命预估方法,其特征在于,包括:

建立包含至少三个影响因子的多组测试组;

以每一测试组的三个影响因子为测试条件,对待测试集成电路的功能失效时间进行测试以获得实验失效时间;

根据多组测试组的三个影响因子以及多组对应每一测试组的所述实验失效时间确定多个加速因子,并根据原始加速因子模型、三个所述影响因子以及多个所述加速因子建立加速因子-相对寿命模型;

根据待测试集成电路的应用环境的三个影响因子以及加速因子-相对寿命模型预估使用时间长度。

2.根据权利要求1所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,每一测试组中,至少有一项影响因子与其他测试组对应的影响因子的数值范围不同。

3.根据权利要求1所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,所述以每一测试组的三个影响因子为测试条件对待测试集成电路的功能失效时间进行测试以获得实验失效时间的步骤包括:

当所述三个影响因子分别为温度、湿度、电源电压时;

对于所述温度测试;

在第一时间内,将所述待测试集成电路所处环境温度从初始温度值调整至预设温度值;

在第二时间内,将所述待测试集成电路所处环境温度保持在预设温度值;

当所述芯片温度高于所处环境温度预设温度差值时,记录差值;

在第三时间内,不调整所述待测试集成电路所处环境温度以使所述环境温度值从预设温度值下降至初始温度值。

4.根据权利要求3所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,

对于所述电源电压测试;

当所述环境温度值与待测试集成电路的工作温度差值大于预设值时,执行持续偏执;

当所述环境温度值与待测试集成电路的工作温度值处于预设范围时,执行循环偏执。

5.根据权利要求3所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,

对于所述湿度测试;

在第四时间内,将所述待测试集成电路所处环境湿度从初始湿度值调整至预设湿度值;

在第五时间内,将所述待测试集成电路所处环境湿度保持在预设湿度值;

在第六时间内,不调整所述待测试集成电路所处环境湿度以使所述环境湿度值从预设湿度值下降至初始湿度值;

在执行湿度测试时,检测当前待测试集成电路的功耗,若大于预设功耗值,则调整所述电源电压的频率以及占空比以降低功耗。

6.根据权利要求1所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,所述根据多组测试组的三个影响因子以及多组对应每一测试组的所述实验失效时间确定多个加速因子,并根据原始加速因子模型、三个所述影响因子以及多个所述加速因子建立加速因子-相对寿命模型的步骤包括:

在处于不同测试组的三个影响因子下,确定待测试集成电路对应的多个实验失效时间;

根据多个所述实验失效时间以及原始加速因子模型建立加速因子模型;

根据所述加速因子模型以及所述实验失效时间建立加速因子-相对寿命模型。

7.根据权利要求5所述的集成电路寿命预估方法,其特征在于,

所述第一时间以及所述第四时间的时间长度小于3小时。

8.一种集成电路寿命预估装置,其特征在于,包括:

测试组单元,用于建立包含影响因子的多个测试组;

测试单元,用于根据所述测试组的影响因子测试待测试集成电路以获取实验失效时间;

计算单元,用于根据所述实验失效时间、待测试集成电路的应用环境中的影响因子预估使用时间长度。

9.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至8任一项所述集成电路寿命预估方法的步骤。

10.一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至9任一项所述集成电路寿命预估方法的步骤。

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