[发明专利]近红外量子光场成像探测仪

说明书

本申请公开了近红外量子光场成像探测仪，包括晶体、定焦镜头、支架、温度传感器、变频控制驱动器以及温控器，所述温控器跟所述支架相接，所述变频控制驱动器与所述温控器相接，所述温度传感器的接口跟所述变频控制驱动器相接，所述温度传感器的探头跟所述支架相接，所述支架用于跟晶体配合；所述变频控制驱动器用于驱动温控器的触发频率，所述变频控制驱动器触发时的脉冲宽度不变。

技术领域

本发明涉及量子领域，尤其涉及一种近红外量子光场成像探测仪。

背景技术

目前量子光场的制备是由单频激光器通过各类晶体共同作用产生的。量子光场生成中的稳定因素之一就是需要极高的晶体温度控制精度，。目前温度控制都是工业中较为常规的电流大小控制，其精度和稳定性都影响着量子光场制备的稳定性。

发明内容

本发明针对上述问题，提出了一种近红外量子光场成像探测仪。

本发明采取的技术方案如下：

本发明首先提供一种控制近红外量子光场成像探测仪中晶体温度的方法，

一种晶体温度控制方法，包括支架、温度传感器、变频控制驱动器以及温控器，所述温控器跟所述支架相接，所述变频控制驱动器与所述温控器相接，所述温度传感器的接口跟所述变频控制驱动器相接，所述温度传感器的探头跟所述支架相接，所述变频控制驱动器用于驱动温控器的触发频率，所述变频控制驱动器触发时的脉冲宽度不变。

本种晶体温度控制方法中，温度传感器用于获取支架的温度，控温器用于对支架加热，支架用于放置晶体，变频控制驱动器通过温度传感器探测支架的温度，来驱动温度控制的触发频率，模拟电流大小来驱动温控器，温控器对支架进行加热，其中触发时的脉冲宽度不变，从而达到对晶体温度高精度的要求。而变频方式实现不同种类晶体对温度范围的要求。本方法提高了不同晶体对温度的适用范围和能力。

可选的，所述支架包括盖支架以及托支架，所述盖支架与托支架之间用于放置晶体。

具体晶体夹在盖支架与托支架的凹槽内。

可选的，还包括底座，所述托支架设置于底座上，所述温控器设置于底座与托支架之间。

基于上述控制晶体温度的方法，本发明进一步提供一种用于近红外量子光场成像探测仪中的量子光场的成像系统。

一种量子光场成像系统，包括晶体以及定焦镜头，还包括支架，温度传感器、变频控制驱动器以及温控器，所述温控器跟所述支架相接，所述变频控制驱动器与所述温控器相接，所述温度传感器的接口跟所述变频控制驱动器相接，所述温度传感器的探头跟所述支架相接，所述支架用于跟晶体配合。

因为量子光成像系统中需要用使用到晶体，激光照射到晶体上，而后产生量子光，量子光穿过定焦镜头成像，本系统中由于使用到了晶体，为了保证成像必须控制晶体的温度，所以采用支架，温度传感器、变频控制驱动器以及温控器，通过采用支架、温度传感器等零部件来控制晶体的温度，实现对晶体的精准控温。本成像系统采用上述的晶体温度控制方法来控制晶体的温度。

可选的，所述定焦镜头包括第一透镜片、第二透镜片以及第三透镜片，所述第二透镜片位于第一透镜片与第三透镜片之间。

本成像系统为了保证成像时对成像光吸收小，同时保证成像质量，提供了一种成像镜头，成像时光线一次经由第一透镜片、第二透镜片以及第三透镜片，最后汇聚在成像面上。镜头结构组成为：第一透透镜片为正弯月透镜，光焦度为正，近红外介质材料为硫化锌；第二透镜片为平凹透镜，光焦度为负，材料为普通光学玻璃；第三透镜片为负弯月透镜，光焦度为负，材料为普通光学玻璃。其中第一镜面与第二镜面分别是第一透镜片的两个表面，第三镜面与第四镜面分别是第二透镜片的两个表面，第五镜面与第六镜面分别是第三透镜片的两个表面，这些表面镀有减反膜。