[发明专利]容双节点翻转的SRAM存储单元

权利要求书

1.一种容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，所述容双节点翻转的SRAM存储单元，包括：锁存电路和传输电路

所述锁存电路包括八个反相器，八个所述反相器依次相连形成环形通路；每个所述反相器包括第一输入端、第二输入端和一个输出端；

确定所述锁存电路中的任意一个反相器为当前反相器，所述当前反相器的输出端，与所述当前反相器的前一反相器第一输入端相连，形成所述当前反相器的存储节点；

所述传输电路包括八个传输MOS管，任意一个传输MOS管对应连接一反相器的存储节点，且各个所述存储节点，按照所述环形通路的连接方向，通过对应传输MOS管依次交替地连接第一位线和第二位线；八个所述传输MOS管均连接字线，通过字线控制所述传输MOS管的导通；

所述当前反相器的前一反相器第二输入端，连接所述当前反相器的在前第m个反相器输出端，所述在前第m个反相器的存储节点与所述前一反相器的存储节点共同连接同一位线。

2.如权利要求1所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，

所述前一反相器的第二输入端，连接所述当前反相器的在前第六个反相器输出端，所述在前第六个反相器的存储节点与所述当前反相器的存储节点共同连接到同一位线。

3.如权利要求1或2所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，

所述锁存电路中的任意一个反相器，包括NMOS管和PMOS管；

所述PMOS管的一源漏端连接电源，所述PMOS管的另一源漏端连接所述NMOS管的一源漏端作为所述反相器的输出端，所述NMOS管的另一源漏端接地；

所述反相器的两输入端分别为所述反相器中，PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极。

4.如权利要求1或2所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，所述反相器的第一输入端为所述反相器NMOS管的栅极，所述反相器的第二输入端为所述反相器PMOS管的栅极。

5.如权利要求1或2所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，

所述反相器的第一输入端为所述反相器PMOS管的栅极，所述反相器的第二输入端为所述反相器NMOS管的栅极。

6.如权利要求1所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，每个所述传输MOS管的一源漏端连接对应反相器的输出端，所述传输MOS管的另一源漏端连接第一位线或第二位线，所述传输MOS管的栅极连接字线。

7.如权利要求1所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，所述锁存电路中的任意一个反相器的第一输入端和第二输入端被配置为同时输入高电平信号，或同时输入低电平信号。

8.如权利要求1所述的容双节点翻转的SRAM存储单元，其特征在于，所述锁存电路中的八个反相器，按照按顺时针方向依次排布相连形成环形通路。