[发明专利]一种系统级封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种系统级封装封装结构，其特征在于，包括：

PCB板，所述PCB板包括相对的正面和背面，所述正面形成有多个第一凹槽和裸露的第一焊垫，所述第一焊垫设在所述第一凹槽的周围的所述PCB板上；

第一芯片，所述第一芯片的顶端形成有多个裸露的第二焊垫，所述第一芯片形成有所述第二焊垫的一侧键合在所述PCB板的正面，且所述第一芯片遮盖所述第一凹槽，所述第一焊垫和所述第二焊垫隔空垂直相对；

第一导电凸块，设置于所述第一焊垫和所述第二焊垫之间，用于电连接所述第一焊垫和所述第二焊垫。

2.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一芯片形成有所述第二焊垫的一侧和所述PCB板的正面之间还设有第一键合层，所述第一键合层位于所述第一导电凸块的内侧，覆盖所述第一凹槽外围与所述第一导电凸块之间的所述PCB板区域。

3.根据权利要求2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一键合层具有第一开口，所述第一开口与所述第一凹槽相对设置，所述第一芯片、所述第一凹槽、所述第一键合层共同围成第一空腔。

4.根据权利要求3所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一空腔贯穿所述第一键合层或者贯穿部分所述第一键合层。

5.根据权利要求2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一键合层的材料包括可光刻键合材料。

6.根据权利要求2所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻键合材料的厚度为60-160μm。

7.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一导电凸块通过电镀工艺形成。

8.根据权利要求7所述的系统级封装结构，其特征在于，所述第一导电凸块的横截面的面积大于10平方微米。

9.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，所述PCB板包括：

至少一层电路板，每层所述电路板包括基板以及贯穿所述基板的导电互连结构。

10.根据权利要求1所述的系统级封装结构，其特征在于，还包括：

第二芯片，所述第二芯片的表面具有多个裸露的第五焊垫，所述第二芯片形成有所述第五焊垫的一侧通过第二连接层键合于所述第一芯片与所述第二焊垫相背的一侧；

所述第一芯片与所述第二焊垫相背的一侧具有多个裸露的第四焊垫，所述第四焊垫和所述第五焊垫隔空垂直相对；

第二导电凸块，设置于所述第四焊垫与所述第五焊垫之间，用于电连接所述第四焊垫与所述第五焊垫。

11.一种系统级封装方法，其特征在于，包括：

提供PCB板，所述PCB板包括相对的正面和背面，所述PCB板正面形成有多个第一凹槽和裸露的第一焊垫，所述第一焊垫设在所述第一凹槽的周围的所述PCB板上；

提供第一器件晶圆，所述第一器件晶圆上形成有多个第一芯片，所述第一芯片的顶端形成有多个裸露的第二焊垫；

将所述第一芯片形成有所述第二焊垫的一侧键合在所述PCB板的正面，所述第一芯片遮盖所述第一凹槽，且所述第一焊垫和所述第二焊垫隔空垂直相对，且在所述第一焊垫和所述第二焊垫之间形成第一空隙；

对所述第一器件晶圆进行切割，形成独立的芯片结构；

通过电镀工艺在所述第一空隙内形成第一导电凸块用于电连接所述第一焊垫和所述第二焊垫。

12.根据权利要求11所述的系统级封装方法，其特征在于，所述第一芯片形成有所述第二焊垫的一侧和所述PCB板的正面之间通过第一键合层连接，所述第一键合层位于所述第一导电凸块的内侧，覆盖所述第一凹槽外围与所述第一导电凸块之间的所述PCB板区域。