[发明专利]一种晶圆级封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一表面和第二表面，以及在所述器件晶圆中形成有多个第一芯片、凹槽和导电互连结构；

多个第二芯片，所述第二芯片键合于所述器件晶圆的第一表面并覆盖所述凹槽形成密闭的空腔；

金属导电层，位于所述器件晶圆的第一表面，并通过所述导电互连结构与所述第一芯片电连接；

绝缘层，形成在所述器件晶圆上，并覆盖所述金属导电层、所述第二芯片以及所述第二芯片露出的所述器件晶圆；

屏蔽层，形成在所述绝缘层上，并覆盖所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属导电层与外部电路电连接。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属导电层为金属胶或金属复合膜。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属导电层的材料为钛薄膜或铜薄膜。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属导电层的厚度为0.5～10微米。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.1～5微米。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或合金层。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为0.2～8微米。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括封装层，所述封装层覆盖所述屏蔽层。

11.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一表面和第二表面，以及在所述器件晶圆中形成有多个第一芯片、凹槽和导电互连结构；

提供多个第二芯片，将所述第二芯片键合于所述器件晶圆的第一表面并覆盖所述凹槽形成密闭的空腔；

在所述器件晶圆的第一表面形成金属导电层，所述金属导电层通过所述导电互连结构与所述第一芯片电连接；

在所述器件晶圆上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属导电层、所述第二芯片以及所述第二芯片露出的所述器件晶圆；

在所述绝缘层上形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述绝缘层。

12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，形成所述凹槽的方法包括：

提供所述器件晶圆；

在所述器件晶圆上刻蚀形成所述凹槽；或者，

所述器件晶圆包括介质层，刻蚀所述介质层形成所述凹槽。

13.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，形成所述金属导电层的方法包括：在所述器件晶圆上形成金属导电材料层，图形化所述金属导电材料层形成所述金属导电层，所述金属导电层与外部电路电连接。

14.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述金属导电层为金属胶或金属复合膜。

15.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述金属导电层的材料为钛薄膜或铜薄膜。

16.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述金属导电层的厚度为0.5～10微米。

17.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。