[发明专利]一种芯片的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种芯片的封装结构的封装方法，其工艺步骤如下:

步骤一、提供压制成帽状结构的散热盖（3），其包括帽檐部（31）和帽体部（33）；所述帽檐部（31）的下表面与基板（9）连接，所述帽体部（33）呈隆起的内部腔体，在所述帽体部（33）的中央设置凹槽（35）；凹槽（35）的尺寸与芯片（7）的尺寸匹配；利用溅射或化学镀的方法在散热盖（3）内侧的凹槽（35）内形成镀金层Ⅰ（41），该镀金层Ⅰ（41）同时布满凹槽（35）的四周槽壁；

步骤二、通过喷洒工艺，再在镀金层Ⅰ（41）上喷洒助焊剂Ⅰ（42）；

步骤三、通提供裁切尺寸不大于凹槽（35）尺寸的高导热金属铟片（43），通过助焊剂Ⅰ（42）将高导热金属铟片（43）固定；

步骤四、将装有高导热金属铟片（43）的散热盖（3）放入真空负压回焊炉进行焊接,高导热金属铟片（43）浸润在助焊剂Ⅰ（42）中，经过高温真空负压回焊炉，在助焊剂Ⅰ（42）作用下，高导热金属铟片（43）与散热盖（3）的凹槽（35）内的金属金结合形成金铟共晶层（44），所述金铟共晶层（44）铺满凹槽（35）的底部；

步骤五、通过表面贴装技术，将芯片（7）正面的金属凸块蘸取助焊剂后贴装至基板（9）的焊盘的芯片位置上，将元器件（8）贴装至基板（9）的芯片（7）周边的元器件位置，再通过回流焊将芯片（7）、元器件（8）与基板（9）焊接固连；

步骤六、使用底部填充胶对芯片（7）底部狭窄间距进行填充；

步骤七、利用溅射或化学镀的方法在芯片（7）的背面形成镀金层Ⅱ或镀银层（5）；再在镀金层Ⅱ或镀银层（5）的表面喷洒助焊剂Ⅱ（4）；

步骤八、在基板（9）上划AD胶（2），AD胶（2）设置在元器件（8）的四周；

步骤九、通过AD胶（2）将焊接好金铟共晶层（44）的散热盖（3）的帽檐部（31）的下表面与基板（9）四周粘结固连，

步骤十、再过回流焊炉，焊接芯片（7）与金铟共晶层（44）；所述金铟共晶层（44）浸润在助焊剂Ⅱ（4）中，经过高温真空负压回焊炉，在助焊剂Ⅱ（4）作用下，镀金层Ⅱ或镀银层（5）的金属金或银与金铟共晶层（44）的金属铟再次形成金铟共晶层或金银铟共晶层（45）；

步骤十一、在基板（9）的背面焊盘上植低温球（1），过回流焊炉焊接低温球。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤四中，使用陶瓷压头适当低压来确保金铟共晶层（44）冷却后的表面平整度。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述镀金层Ⅰ（41）的厚度为0.04~0.2微米。

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述助焊剂Ⅰ（42）为有机酸助焊剂。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述助焊剂Ⅱ（4）为有机酸助焊剂。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述元器件（8）包括电容、电阻、电感。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装方法，其特征在于，所述散热盖（3）的外侧面设置散热结构，所述散热结构包括若干条凹槽，所述凹槽呈平行状、米字状、同心圆状。