[发明专利]半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于回蚀刻的方法，包括：

将工件定位在工件支撑件的表面上，其中，所述工件支撑件的所述表面包括多个温度控制区；以及

通过测量所述工件上多个位置处的多个蚀刻前表面高度或厚度来确定所述工件的蚀刻前表面形貌，其中，所述工件上的所述多个位置对应于所述工件支撑件的所述表面上的所述多个温度控制区；

基于所测量的所述多个蚀刻前表面高度或厚度来加热或冷却所述温度控制区中的至少第一区域，使得所述第一区域具有与所述温度控制区中的第二区域的第二温度不同的第一温度；以及

在所述第一区域具有与所述温度控制区域的所述第二区域的所述第二温度不同的所述第一温度的同时执行第一干蚀刻。

2.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，其中，在所述第一干蚀刻期间，加热所述多个温度控制区域中的一些区域，同时冷却所述多个温度控制区域中的其他区域。

3.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，还包括：

通过测量所述工件上所述多个位置处的多个蚀刻后表面高度，确定工件的蚀刻后表面形貌。

4.根据权利要求3所述的用于回蚀刻的方法，还包括：

确定所述蚀刻后表面形貌中的多个所测量的蚀刻后表面高度是否在预定的可接受范围内；以及

当所述蚀刻后表面形貌中的所述多个所测量的蚀刻后表面高度落在所述预定的可接受范围之外时，则分别将所述多个温度控制区分别加热或冷却至第二多个温度，其中，所述第二多个温度的测量分别基于所测量的多个蚀刻后表面高度，并且在所述多个温度控制区分别处于所述第二多个温度时进行第二干蚀刻。

5.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，还包括：

在确定所述工件的所述蚀刻前表面形貌之前，去除所述工件的初始厚度的至少95％，以使所述工件的厚度减小2微米至10微米，其中，所述工件具有包括所述蚀刻前表面形貌的减小的厚度，由此所述工件的总高度或厚度变化范围在0.1微米至0.5微米之间。

6.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，其中，所述工件是包括至少两个半导体衬底的三维集成电路的部分。

7.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，还包括：

基于所述第一位置的表面高度将喷嘴定位在所述多个位置中的第一位置上，并且在所述多个位置中的一些没有液体蚀刻剂的同时，通过喷嘴分配液体蚀刻剂以蚀刻所述第一位置，并且所述工件相对于所述工件支撑件是静止的。

8.根据权利要求1所述的用于回蚀刻的方法，其中，加热或冷却所述多个温度控制区域包括基于加热或冷却来预测所述工件在所述多个位置处的温度分布。

9.一种蚀刻系统，包括：

测量装置，被配置为接收工件，其中，所述测量装置被配置为确定在所述工件的上表面上的多个位置处的多个蚀刻前表面高度；

局部回蚀刻装置，在所述测量装置下游，被配置为回蚀刻所述工件的所述上表面以使工件变薄，所述局部回蚀刻装置包括：

工件支撑件，被配置为支撑所述工件，其中，所述工件支撑件的表面包括分别具有多个温度控制元件的多个温度控制区；和

等离子体源，被配置为生成离子以蚀刻所述工件，同时将所述工件支撑在所述工件支撑件上。

10.一种半导体器件，包括：

第一集成电路结构，包括第一半导体衬底和第一互连结构，所述第一互连结构包括电介质结构，并且多条金属线彼此堆叠且通过所述第一互连结构中的接触件和通孔彼此连接；

第二集成电路结构，包括设置在所述第一互连结构上方的第二互连结构和设置在所述第二互连结构上方的第二半导体衬底；以及

其中，所述第二半导体衬底的总厚度在约0.5微米至约9微米的范围内，并且总厚度变化或高度变化小于0.3微米且大于100埃。