[发明专利]一种流式荧光光斑位置分布的测量方法

权利要求书

1.一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：将流式荧光分析仪原来摆放光电倍增管的位置摆放具有多通道输出的硅光电倍增管；

S2：激光器经过透镜产生特定激光入射到鞘流池，激光与流过鞘流池中染有荧光染料的微球相遇，荧光染料受激产生荧光，荧光被侧边的收集透镜收集，经过滤光片过滤后入射到硅光电倍增管，光电倍增产生电信号，通过电路采集电信号传送到电脑分析荧光成分；

S3：S1中所述硅光电倍增管包括SIPM传感芯片，SIPM传感芯片4行4列结构的多通道输出为16个电流信号I(1..16)，根据其结构设计出以下三个计算公式：

通过计算出光斑中心的2维坐标位置XY以及光斑的扩散程度D，X等于检测器左边一半通道(1、2、5、6、9、10、13、14)的光强总和减去检测器右边一半通道(3、4、7、8、11、12、15、16)的光强总和除于全部的通道光强总和，可以得到归一化数值范围-1到+1，当X输出趋近于0的时候，说明光斑中心在X轴的中间，同理Y等于检测器上边一半通道(1、2、3、4、5、6、7、8)的光强总和减去检测器下边一半通道(9、10、11、12、13、14、15、16)的光强总和除于全部的通道光强总和，可以得到归一化数值范围-1到+1，当Y输出趋近于0的时候，说明光斑中心在Y轴的中间，D值等于检测器中心4个通道(6、7、10、11)的光强总和减去检测器外圈通道(1、2、3、4、5、8、9、12、13、14、15、16)的总和除于全部的通道光强总和，可以得到归一化数值范围-1到+1，D值的大小是表征光斑大小的，当D值变小的时候说明光斑的尺寸在变大。

2.根据权利要求1所述的一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：所述SIPM传感芯片输出为16个信号，通过电路设计将16个通道的电流信号转换为电压信号，采用运放加减法电路对16个电压进行运算实现3个公式信号输出。

3.根据权利要求1所述的一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：所述流式荧光分析仪包括

基板；

第一激光器，所述第一激光器固定安装于所述基板的表面；

扩束透镜及安装座，所述扩束透镜及安装座固定安装于所述基板的表面；

第一聚焦镜及安装座，所述第一聚焦镜及安装座固定安装于所述基板的表面；

第二聚焦镜及安装座，所述第二聚焦镜及安装座固定安装于所述基板的表面；

第一二项色镜及安装座，所述第一二项色镜及安装座固定安装于所述基板的表面；

光电倍增管，所述光电倍增管固定安装于所述基板的表面；

鞘流池及安装座，所述鞘流池及安装座固定安装于所述基板的表面；

光电二极管及安装座，所述光电二极管及安装座固定安装于所述基板的表面；

收集透镜及安装座，所述收集透镜及安装座固定安装于所述基板的表面；

第一硅光电倍增管安装座，所述第一硅光电倍增管安装座固定安装于所述基板的表面；

第二硅光电倍增管安装座，所述第二硅光电倍增管安装座固定安装于所述基板的表面；

硅光电倍增管，所述硅光电倍增管固定安装于所述基板的表面；

第二激光器，所述第二激光器固定安装于所述基板的表面；

第二二项色镜及安装座，所述第二二项色镜及安装座固定安装于所述基板的表面。

4.根据权利要求3所述的一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：所述硅光电倍增管包括高压温补电源、温度SIPM传感芯片、SIPM传感芯片和高速跨阻放大器。

5.根据权利要求4所述的一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：所述高压温补电源分别与温度SIPM传感芯片和SIPM传感芯片电性连接，所述SIPM传感芯片与高速跨阻放大器电性连接。

6.根据权利要求3所述的一种流式荧光光斑位置分布的测量方法，其特征在于：所述第一激光器、扩束透镜及安装座和第一聚焦镜及安装座相适配。