[发明专利]一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法

说明书

本发明的一个实施例公开了一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法，包括：0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元；所述0dB衰减单元，用于对输入信号功率的直通，输出与输入功率相等的信号；所述0.5dB衰减单元，用于对输入信号的0.5dB功率衰减，输出衰减0.5dB功率的信号；所述1dB衰减单元，用于对输入信号的1dB功率衰减，输出衰减1dB功率的信号；所述2dB衰减单元，用于对输入信号的2dB功率衰减，输出衰减2dB功率的信号；所述0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元被配置为通过金丝键合方式连接从而实现8种衰减状态之一。

技术领域

本发明涉及收发系统芯片领域。更具体地，涉及一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法。

背景技术

随着相控阵雷达技术的发展，单片微波集成电路也在不断发展，其中，收发通道内芯片大量应用在雷达系统中，是雷达系统的关键组成部分。

可调衰减器电路主要应用于相控阵雷达系统的收发通道中，它适用于微组装工艺中多通道之间的增益一致性调节，提供精确的衰减值并实现输入信号的幅度调节，输出信号后送至下一级电路，衰减器两端与其他芯片直接相连，需要实现50欧姆阻抗匹配，目前多数产品上使用的衰减器电路的缺点在于，衰减值固定过于单一；不便于衰减数值的调整；需要开关控制实现可调节的衰减量，额外的控制电路增加了成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法。以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明提供了一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路，包括：

0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元；

所述0dB衰减单元，用于对输入信号功率的直通，输出与输入功率相等的信号；

所述0.5dB衰减单元，用于对输入信号的0.5dB功率衰减，输出衰减0.5dB功率的信号；

所述1dB衰减单元，用于对输入信号的1dB功率衰减，输出衰减1dB功率的信号；

所述2dB衰减单元，用于对输入信号的2dB功率衰减，输出衰减2dB功率的信号；

所述0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元被配置为通过金丝键合方式连接从而实现8种衰减状态之一，

其中，所述8种衰减状态包括：0dB衰减状态、0.5dB衰减状态、1dB衰减状态、1.5dB衰减状态、2dB衰减状态、2.5dB衰减状态、3dB衰减状态以及3.5dB衰减状态。

在一个具体实施例中，

所述0dB衰减单元包括：第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第九焊盘；

所述第九焊盘的第二端与所述第一焊盘的第一端相连接；

所述第一焊盘的第二端与所述第二焊盘的第一端相连接；

所述第二焊盘的第二端与所述第三焊盘的第一端相连接。

在一个具体实施例中，

所述0.5dB衰减单元包括：第六焊盘以及0.5dB衰减器；

所述第六焊盘的第二端与所述0.5dB衰减器相连接。

在一个具体实施例中，

所述1dB衰减单元包括：第四焊盘、第五焊盘以及1dB衰减器；

所述第五焊盘的第二端与所述1dB衰减器的第一端相连接；