[发明专利]清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置

说明书

本发明实施例提供了一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。其中，所述清洗液生成方法包括：确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。

背景技术

在半导体的制造过程中，需要在晶圆上进行各种工艺处理，如蚀刻、氧化、沉积、去光阻以及化学机械研磨等。这些工艺处理，在实现晶圆功能的同时，都会或多或少的在晶圆表面产生污染物，如有机附着物、金属附着物以及氧化膜等。因此，在晶圆的制造过程中，需要利用清洗液来清除污染物。

然而，利用相关技术中的清洗液的生成方法得到的清洗液进行晶圆清洗时，存在清洗效率低的问题。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种清洗液生成方法、装置及清洗系统的控制方法、装置。

本发明实施例提供了一种清洗液生成方法，包括：

确定待生成清洗液的量值；其中，该量值的待生成清洗液可供清洗室使用的时长，大于生成该量值的待生成清洗液的时长；

根据所述待生成清洗液的量值，确定各化学原液的量值；

根据各化学原液的量值，将各化学原液在清洗液存储槽中进行混合，以生成所述待生成清洗液。

上述方案中，所述确定待生成清洗液的量值，包括：

根据待清洗晶圆的产率，结合第一映射表，确定所述待生成清洗液的量值；所述第一映射表包括各所述待清洗晶圆的产率与待生成清洗液的量值的对应关系。

上述方案中，所述方法还包括：

建立所述第一映射表；

所述建立所述第一映射表，包括：

根据待清洗晶圆的产率，确定清洗液的消耗速率；

针对各所述待清洗晶圆的产率，建立对应的第一集合，所述第一集合由不同的待生成清洗液的量值构成；

针对所述第一集合中的每个量值，结合第一曲线，得到生成相应量值的待生成清洗液的第一时长；并根据所述清洗液的消耗速率，得到相应量值的待生成清洗液向清洗室供应清洗液的第二时长；所述第一曲线为所述待生成清洗液的量值与生成所述量值的待生成清洗液的时长对应的关系曲线；

选择所述第一集合中，所述第一时长小于所述第二时长对应的量值，得到与各所述待清洗晶圆的产率分别对应的第二集合；

根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表。

上述方案中，所述根据各待清洗晶圆的产率及相对应的所述第二集合，建立所述第一映射表，包括：

所述利用所述不同的待清洗晶圆的产率及所述相对应的第二集合中的最大值，建立所述第一映射表。

上述方案中，所述化学原液包括第一酸性溶液、去离子水、第二酸性溶液、氧化性溶液；所述清洗液用于清洗执行刻蚀工艺后的晶圆。

本发明实施例还提供了一种清洗系统的控制方法，包括：

控制一清洗液存储槽为清洗室供应清洗液；

接收当前为所述清洗室供应清洗液的所述清洗液存储槽中清洗液的余量不足的信息，切换另一清洗液存储槽为所述清洗室供应清洗液，并利用本发明实施例提供的清洗液生成方法在切换下来的所述清洗液存储槽中重新生成清洗液；