[发明专利]一种无氰镀铜打底的方法

权利要求书

1.一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：包括以下步骤：

将镁合金前处理、预浸、预镀无氰铜和无氰镀铜；

所述预浸，预浸液包括以下重量分数制备原料：有机膦酸盐Ⅲ 1%~5%、多烯多胺类化合物Ⅲ 5%~12%和水余量；

所述有机膦酸盐Ⅲ选自羟基乙叉二膦酸钠和羟基乙叉二膦酸钾中的至少一种；

所述多烯多胺类化合物Ⅲ选自二乙烯三胺；

所述预镀无氰铜，镀液由以下重量分数的制备原料组成：

铜盐Ⅰ 3%~6%；有机膦酸盐Ⅰ 15%~25%；多烯多胺类化合物Ⅰ 5%~12%；碳酸盐Ⅰ 5%~12%；硫基杂化化合物Ⅰ 0.01%~0.03%；环烷基磺酸盐Ⅰ 0.1%~0.4%；和余量为水；

所述无氰镀铜，镀液由以下重量分数的制备原料组成：

铜盐Ⅱ6%~10%；有机膦酸盐Ⅱ18%~28%；多烯多胺类化合物Ⅱ 4%~8%；碳酸盐Ⅱ 5%~12%；硫基杂化化合物Ⅱ 0.02%~0.05%；环烷基磺酸盐Ⅱ 0.2%~0.5%；不饱和烃氧基醚0.01%~0.03%；和余量为水；

所述有机膦酸盐Ⅰ和有机膦酸盐Ⅱ均独立选自羟基乙叉二膦酸钠和羟基乙叉二膦酸钾中的至少一种；

所述多烯多胺类化合物Ⅰ选自二乙烯三胺；

所述多烯多胺类化合物Ⅱ选自二乙烯三胺；

所述硫基杂化化合物Ⅰ选自2-巯基苯并噻唑；

所述硫基杂化化合物Ⅱ选自2-巯基苯并噻唑；

所述环烷基磺酸盐Ⅰ选自苯亚磺酸钠；

所述环烷基磺酸盐Ⅱ选自苯亚磺酸钠；

所述不饱和烃氧基醚选自丙炔醇丙氧基醚；

所述预镀无氰铜的温度为15℃~30℃。

2.根据权利要求1所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述前处理，包括以下步骤：将镁合金酸蚀、活化和浸锌。

3.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述酸蚀，酸蚀液包括以下制备原料：无机酸、有机膦酸类化合物和硝酸盐Ⅰ。

4.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述酸蚀，酸蚀液由以下重量分数制备原料组成：无机酸 0.5%~2.5%、有机膦酸类化合物 0.8%~3%、硝酸盐Ⅰ0.05%~0.5%和余量为水。

5.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述活化，活化液包括以下制备原料：过硫酸盐、硝酸盐Ⅱ、无机碱和有机膦酸盐Ⅳ。

6.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述活化，活化液由以下重量分数制备原料组成：过硫酸盐2%~6%、硝酸盐Ⅱ1%~5%、无机碱 10%~20%、有机膦酸盐Ⅳ 1%~5%和余量为水。

7.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述浸锌，浸锌液包括以下制备原料：含锌化合物、醋酸盐、焦磷酸盐、氟盐、氨基乙酸盐和硝酸盐Ⅲ。

8.根据权利要求2所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述浸锌，浸锌液由以下重量分数制备原料的组成：含锌化合物 3%~5%、醋酸盐 1.5%~3%、焦磷酸盐 4%~7%、氟盐 0.1%~1%、氨基乙酸盐 0.2%~2%、硝酸盐Ⅲ0.2%~2%和余量为水。

9.根据权利要求1所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：

所述预浸，包括如下工艺条件：

温度为15℃~30℃；pH为8.5~10.0；时间为10s~30s。

10.根据权利要求1所述的一种无氰镀铜打底的方法，其特征在于：所述预镀无氰铜，包括如下工艺条件：

pH为8.5~10.0；电流为1.5A/dm²~3A/dm²；时间为5min~10min。