[发明专利]一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构及其应用

权利要求书

1.一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构，其特征在于，所述结构中直接调制激光器和驱动器串联连接；

其中，直接调制激光器的阳极作为射频接地，直接调制激光器的阴极与所述驱动器射频连接节点连接；所述直接调制激光器的电流全部沉入、流入、或吸入到所述驱动器中，并且驱动器电流与所述直接调制激光器的电流相等，并且直接调制激光器的电流流过所述晶体管后直接接地，

所述直接调制激光器的阳极为低阻抗，

所述结构应用于10Gbs 以上激光器驱动电路中。

2.根据权利要求1 所述的结构，其特征在于，所述直接调制激光器的阳极为低阻抗是通过连接在地与所述直接调制激光器的阳极节点之间的旁路电容器以作为射频接地来实现的。

3.根据权利要求2 所述的结构，其特征在于，所述直接调制激光器的阴极为高阻抗。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述直接调制激光器的阴极为高阻抗是通过所述驱动器的阻抗在阴极节点提供的。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述驱动器的阻抗大于70欧姆。

6.根据权利要求1-5任一所述的结构，其特征在于，所述驱动器可以接受差分或者单端输入，并且通过使用晶体管来将输入电压转换为电流以用于调制直接调制激光器的电流。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述晶体管为单个晶体管或者并联的晶体管。

8.根据权利要求2-5 任一所述的结构，其特征在于，所述旁路电容器和所述直接调制激光器分别在衬底上形成不同的层或极，并通过集成电路芯片的接合线连接至驱动器的对应节点。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述旁路电容器和所述直接调制激光器位于同一衬底上，驱动器的下一层是GND，所述旁路电容器的一端与GND连接，另一端与所述直接调制激光器的阳极连接。

10.根据权利要求1 所述的结构，其特征在于，所述结构用于对射频输入信号进行非归零NRZ 和/或脉冲幅度调制PAM 。

11.一种下沉式直接调制激光器与驱动器的结构，其特征在于，所述结构中直接调制激光器和驱动器串联连接；

其中，直接调制激光器的阳极作为射频接地，直接调制激光器的阴极与所述驱动器射频连接节点连接；所述直接调制激光器的电流全部吸入到所述驱动器中，并且驱动器电流与所述直接调制激光器的电流相等，

所述结构应用于10Gbs 以上激光器驱动电路中。

12.一种高速调制驱动器芯片，包括根据权利要求1 至11中任一项所述的下沉式直接调制激光器与驱动器的结构。

13.一种CFP 、CFP2 、CFP4 、QSFP28 、QSFPDD、或OSFP 封装形式的光通信模块，包括根据权利要求12所述的调制驱动器芯片。