[发明专利]成像系统及成像方法在审

专利信息
申请号: 202110797688.0 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN113382176A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 张恒;曹景太 申请(专利权)人: 长春长光奥闰光电科技有限公司
主分类号: H04N5/235 分类号: H04N5/235
代理公司: 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 代理人: 高一明;郭婷
地址: 130000 吉林省*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 成像 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种成像系统,其特征在于,包括形成闭环控制的成像单元、调节单元、控制单元,其中,

所述成像单元形成成像平面;所述控制单元用于根据所述成像单元接收的信号发出控制所述调节单元的光衰减值的控制信号;所述调节单元用于根据所述控制单元的控制信号,调整所述入射光束的强度;所述成像单元用于接收调整强度后的入射光束;

所述调节单元包括可变光衰减器阵列和可变光衰减器阵列的驱动,通过控制所述可变光衰减器阵列的驱动调节所述可变光衰减器阵列的电压,对所述调节单元的光衰减值进行控制,进而实现对所述入射光束的强度调节,并将调节强度后的光信号传递至所述成像单元;所述可变光衰减器阵列形成调节平面。

2.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述可变光衰减器阵列为液晶空间光调制器。

3.根据权利要求2所述的成像系统,其特征在于,所述液晶空间光调制器为透射式。

4.根据权利要求3所述的成像系统,其特征在于,所述成像单元为像元阵列,所述像元阵列中每个像元的位置与所述液晶空间光调制器中每个像素的位置一一对应。

5.根据权利要求4所述的成像系统,其特征在于,所述成像单元为InGaAs探测器、Pbs探测器、CCD探测器、CMOS探测器或光电倍增管。

6.根据权利要求1所述的成像系统,其特征在于,所述控制单元为FPGA芯片或MCU芯片。

7.使用权利要求1-6中任一项所述的成像系统的成像方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、所述成像单元将接收到的入射光束的光强度信号转换为图像灰度值数据,并传递至所述控制单元;

S2、所述控制单元将接收到的图像各像元灰度值数据与预先设置的灰度阈值相比较,所述控制单元记录比较结果,并根据比较结果改变或维持控制信号,对应的控制信号发送至所述可变光衰减器阵列的驱动,所述可变光衰减器阵列的驱动根据所述控制信号改变或维持输出的电压,调整或维持所述可变光衰减器阵列的光衰减值;

S3、重复步骤S1、S2,直至所述成像单元每个像元接收的光强度均处于非饱和状态,使不同强度的光信号在所述成像单元同时成像。

8.根据权利要求7所述的成像方法,其特征在于,步骤S2包括以下步骤:

S201、所述成像单元每个像元将接收到的光强度的图像灰度值数据与预先设定的灰度阈值进行比较并记录比较结果;

S202、当图像灰度值数据预先设定的灰度阈值时,增大并记录此像元所对应的光衰减值;当图像灰度值数据≤预先设定的灰度阈值时,记录此像元所对应的光衰减值;

S203、记录步骤S202中需要调整像元的所对应的位置;

S204、所述控制单元根据步骤S202、S203中所得的衰减率、像元位置信息控制所述可变光衰减器阵列中每个像素的电压,衰减所述可变光衰减器阵列中每个像素所透射到每个像元的光强度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光奥闰光电科技有限公司,未经长春长光奥闰光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110797688.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top