[发明专利]超构材料吸波体长波红外焦平面

权利要求书

1.超构材料吸波体长波红外焦平面，包括：谐振器层、介质层、金属层；其特征在于：

所述的谐振器层为谐振器阵列亚波长周期性结构，产生等离激元谐振，为金属或类金属材料。

2.根据权利要求1所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的等离激元谐振为传播型表面等离激元谐振或局域型表面等离激元谐振；

所述的传播型表面等离激元谐振受结构周期调控，变化规律符合公式：

这里，即；传播型表面等离激元谐振波长随着结构周期增大红移；

所述的局域型表面等离激元谐振，则可以用等效电路模型进行解释：

这里L和C分别代表超构材料吸波体的电感和电容，w代表谐振器的有效长度；局域型表面等离激元谐振波长与谐振器的有效长度正相关。

3.根据权利要求2所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的谐振器是由表面图形化的亚波长周期性金属谐振器阵列组成。

4.根据权利要求3所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的介质层为热敏电阻层或支撑层。

5.根据权利要求2所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，还包括：热敏电阻层和/或吸收层。

6.根据权利要求4所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的超构材料吸波体长波红外焦平面的下方还设有空气腔。

7.根据权利要求5所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的空气腔下方为金属反射层。

8.根据权利要求5所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，该结构由上到下依次为：钛十字形谐振器层，锗介质层，钛金属层，氮化硅绝缘层，非晶硅热敏电阻层以及氮化硅支撑层；谐振器层20~1000nm，锗介质层10~1000nm，钛金属层10~1500nm，氮化硅绝缘层10~100nm，非晶硅热敏电阻层10~800nm，氮化硅支撑层10~1000nm；钛十字形谐振器的周期为0.8~4.4μm,长度为0.5~2.5μm，宽度为0.05~1μm。

9.根据权利要求5所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：超构材料吸波体长波红外焦平面，该结构由上到下依次为：钛十字形谐振器层，氮化硅绝缘层，非晶硅热敏电阻层，氮化硅绝缘层，钛金属层以及氮化硅支撑层；钛十字形谐振器层50~200nm，氮化硅绝缘层80~150nm，非晶硅热敏电阻层60~100nm，氮化硅绝缘层10~50nm，钛金属层10~50nm以及氮化硅支撑层100~200nm；钛十字形谐振器的周期为0.8~3μm，长度为1~2μm，宽度为0.1~1μm。

10.根据权利要求5所述的超构材料吸波体长波红外焦平面，其特征在于：超构材料吸波体长波红外焦平面，该结构由上到下依次为：非晶硅热敏电阻层，氮化硅绝缘层，圆形钛谐振器层，氮化硅和锗的复合介质层，铝金属层；非晶硅热敏电阻层60~100nm，氮化硅绝缘层10~50nm，钛谐振器50~80nm，氮化硅/锗介质层100~600nm，铝金属层10~50nm；钛圆形谐振器的周期为1.2~4μm,直径为0.4~3μm。