[发明专利]防止主机损坏的装置及方法

权利要求书

1.一种防止主机损坏的装置，其特征在于，包括：电压比较电路、参考电压电路和电压输出开关；所述电压比较电路的第一输入端连接所述参考电压电路，所述电压比较电路的第二输入端连接外部输入；所述电压比较电路的输出端连接所述电压输出开关；

所述参考电压电路用于产生参考电压；

所述电压比较电路，用于根据所述参考电压确定参考电压范围，比较所述输入电压是否在所述参考电压范围内；若所述输入电压在所述参考电压范围内，则触发所述电压输出开关断开；若所述输入电压不在所述参考电压范围内，则触发所述电压输出开关闭合。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述参考电压电路，包括：稳压元件；所述稳压元件分别连接电源输入端和所述参考电压电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压比较电路，包括：第一比较器和第二比较器；所述第一比较器和所述第二比较器通过场效应管相连；

所述第一比较器的正输入端通过第一电压调节元件连接所述输入电压，所述第一比较器的负输入端连接所述参考电压电路的输出端；所述第一电压调节元件用于调节所述参考电压范围的最小值；

所述第二比较器的正输入端连接所述参考电压电路的输出端，所述第二比较器的负输入端通过第二电压调节元件连接所述输入电压；所述第二电压调节元件用于调节所述参考电压范围的最大值。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一电压调节元件包括预设阻值的第一电阻；所述第二电压调节元件包括预设阻值的第二电阻。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述场效应管包括两个相互连接的第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管和第二MOS管均为N沟道耗尽型MOS管。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一MOS管栅极连接所述第一比较器的输出端，所述第一MOS管的漏极连接所述电压输出开关，所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的漏极；所述第二MOS管的栅极连接所述第二比较器的输出端。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：保护电路；所述保护电路连接所述外部输入；所述保护电路包括：多个相互并联的肖特基二极管。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：滤波电路；所述滤波电路连接所述外部输入；所述滤波电路包括：多个相互并联的磁珠。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压输出开关，包括：P沟道增强型MOS管。

10.一种防止主机损坏的方法，其特征在于，应用于计算机主机，所述方法包括：

在获取到输入电压后，根据所述参考电压确定参考电压范围，比较所述输入电压是否在所述参考电压范围内；

若所述输入电压在所述参考电压范围内，则触发所述电压输出开关断开；

若所述输入电压不在所述参考电压范围内，则触发所述电压输出开关闭合。