[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件

权利要求书

1.一种垂直导电电子功率器件，包括：

宽带隙半导体的主体，具有第一导电类型和表面，所述主体包括：

漂移区；和

多个第一金属阳极区，在所述表面上；

第二金属阳极区，在所述第一金属阳极区上，并且在所述表面上；

多个第二导电类型的第一注入区，从所述表面延伸到所述漂移区中；以及

多个第一肖特基二极管，每个第一肖特基二极管在平衡时、在所述漂移区的所述表面与所述多个第一金属阳极区之间的多个第一界面处，具有第一肖特基势垒高度；以及

多个第二肖特基二极管，每个第二肖特基二极管在平衡时具有第二肖特基势垒高度，所述第二肖特基势垒高度与所述第一肖特基势垒高度不同，所述多个第二肖特基二极管位于所述漂移区的所述表面与所述第二金属阳极区之间的多个第二界面处。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一肖特基势垒高度小于所述第二肖特基势垒高度。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一肖特基二极管中的第一个第一肖特基二极管位于距所述第一注入区中的第一个第一注入区第一距离处，所述第二肖特基二极管中的第一个第二肖特基二极管位于距所述第一注入区中的所述第一个第一注入区第二距离处，所述第一距离小于所述第二距离。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其中：

所述第一金属阳极是与所述第二金属阳极不同的材料。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。

6.根据权利要求1所述的电子器件，还包括多个欧姆接触，每个欧姆接触位于所述多个第一注入区中的一个第一注入区内。

7.根据权利要求6所述的电子器件，所述多个第一金属阳极区中的每一个第一金属阳极区位于所述多个欧姆接触中的一个欧姆接触上。

8.根据权利要求7所述的电子器件，还包括多个第三肖特基二极管，所述第三肖特基二极管位于相邻的所述多个第一肖特基二极管中的第一肖特基二极管与所述多个第二肖特基二极管中的第二肖特基二极管之间，所述多个第三肖特基二极管在平衡时各自具有第三肖特基势垒高度，所述第三肖特基势垒高度大于所述第一肖特基势垒高度、并且小于所述第二肖特基势垒高度。

9.一种方法，包括：

从具有第一导电类型和表面的宽带隙半导体的晶片制造垂直导电电子功率器件，所述晶片包括漂移区和多个第一注入区，所述多个第一注入区具有第二导电类型，并且从所述表面在所述漂移区中延伸，所述方法包括：

通过在所述表面上形成多个金属部分来形成多个第一肖特基二极管和多个第二肖特基二极管，每个金属部分在所述漂移区的多个表面部分处与所述漂移区肖特基接触，所述第一肖特基二极管在平衡时具有高度不同于所述第二肖特基二极管的肖特基势垒，形成所述多个金属部分包括：

在多个第一注入区中的一个注入区上形成每个金属部分，每个注入区具有与所述漂移区的界面，每个金属部分具有与每个注入区和所述漂移区的界面间隔开的边缘，每个金属部分与所述多个第一注入区中的相应一个第一注入区接触，并且与所述漂移区的所述表面接触。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述表面部分处引入所述第一导电类型的掺杂剂物质。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成多个金属部分包括：

沉积第一金属材料的第一层；

图案化所述第一层，以形成第一金属部分，所述第一金属部分与所述多个表面部分中的第一表面部分肖特基接触；以及

沉积第二金属材料的第二层。