[发明专利]一种半导体封装装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体封装装置及其制造方法，通过在第一、第二、第三半导体芯片的背面分别形成第一、第二、第三沟槽，使得所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第二沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度，进而在所述第一、第二、第三沟槽中设置第四、第五、第六半导体芯片，上述结构的设置可以有效调节各半导体芯片的有源面的高度差，进而提高了半导体封装灵活性，且当所述第四半导体芯片为发光芯片，所述第五半导体芯片为光感测芯片，所述第六半导体芯片为生物识别芯时，可以有效提高光感测芯片的识别灵敏度，且提高生物识别的准确性和灵敏度。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装装置的制造方法。

背景技术

在现有的半导体封装装置中，通常是在印刷线路板上通过引线键合工艺或倒装焊接工艺设置半导体芯片，进而设置模塑化合物层以包裹所述印刷线路板和所述半导体芯片。常规的半导体封装包括双列直插式封装、球栅阵列封装、塑料方型扁平式封装、插针网格阵列封装、多芯片堆叠封装以及芯片尺寸封装。针对不同的芯片类型，利用不同的封装技术对其进行封装。然而现有的半导体封装中，存在封装体积大、散热性能差等缺点。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装装置的制造方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种半导体封装装置的制造方法，该半导体封装装置的制造方法包括以下步骤：

（1）首先提供一载体基板，在所述载体基板上形成一第一重新布线层，接着在所述第一重新布线层上间隔设置第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片片，所述第一、第二、第三半导体芯片的有源面均朝向所述第一重新布线层，且所述第一、第二、第三半导体芯片的厚度相同。

（2）接着在所述载体基板上设置一图形化掩膜，所述图形化掩膜具有分别对应所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片的第一开口、第二开口和第三开口。

（3）接着利用所述图形化掩膜对所述第一、第二、第三半导体芯片进行刻蚀处理，以在所述第一半导体芯片的背面形成第一沟槽、在所述第二半导体芯片的背面形成第二沟槽以及在所述第三半导体芯片的背面形成第三沟槽，其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第二沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度。

（4）接着在所述第一、第二、第三沟槽的底面形成绝缘保护层。

（5）接着在所述第一沟槽中设置第四半导体芯片，在所述第二沟槽中设置第五半导体芯片，在所述第三沟槽中设置第六半导体芯片，所述第四、第五、第六半导体芯片的厚度相同，所述第四、第五、第六半导体芯片的有源面均朝上，且使得所述第四半导体芯片的有源面低于所述第五半导体芯片的有源面，且使得所述第五半导体芯片的有源面低于所述第六半导体芯片的有源面。

（6）接着去除所述图形化掩膜，接着形成第一模塑化合物层，所述第一导热模塑化合物仅覆盖所述第一、第二、第三半导体芯片的下部，接着在所述第一模塑化合物层中形成多个导热柱。

（7）接着在所述第一导热模塑化合物层上形成第二隔热模塑化合物层，所述第二隔热模塑化合物层覆盖所述第一、第二、第三半导体芯片的上部以及所述第四、第五、第六半导体芯片，接着在所述第一导热模塑化合物层和所述第二隔热模塑化合物层中形成多个导电柱。

（8）接着在所述第二隔热模塑化合物层上形成第二重新布线层，多个所述导电柱通过所述第二重新布线层分别与所述第四、第五、第六半导体芯片电连接。

（9）接着在所述第二重新布线层上形成保护层，并在所述保护层、第二重新布线层以及所述第二隔热模塑化合物层中形成遮光结构。

在优选的技术方案中，所述载体基板为玻璃基板、陶瓷基板、不锈钢基板、半导体基板中的一种，且在形成所述第一重新布线层之前，在所述载体基板上形成一可剥离粘结层。