[发明专利]一种发光薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置

权利要求书

1.一种发光薄膜，其特征在于，用作发光器件中的发光层，所述发光薄膜包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；

所述供体基团和所述受体基团分别与所述连接基团键合，所述受体基团包括所述供体基团包括所述连接基团包括Y；

所述热激活延迟荧光材料的通式为：

其中，Y为非共轭基团；X1、X2和X3至少有一个为氮原子。

2.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，Y包括硫原子或氧原子。

3.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，除X1、X2和X3中至少有一个为氮原子之外，剩余的为氮原子或碳原子。

4.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，R3为富电子型芳胺取代基，且R3上的氨基氮原子与中的苯环键合。

5.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，R1和R2均为芳香类取代基。

6.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，R1和R2的化学结构相同。

7.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，R1和R2均包括苯基、吡啶类、嘧啶类或二嗪类取代基中的任意一种。

8.根据权利要求7所述的发光薄膜，其特征在于，

在R1或R2包括所述吡啶类取代基的情况下，所述吡啶类取代基包括2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基中的任意一种；

在R1或R2包括所述嘧啶类取代基的情况下，所述嘧啶类取代基包括2,4-嘧啶基、3,5-嘧啶基或2,6-嘧啶基中的任意一种；

在R1或R2包括所述二嗪类取代基的情况下，所述二嗪类取代基包括2,3-哒嗪基、3,4-哒嗪基或2,5-吡嗪基中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，R3包括咔唑基、二苯胺基、吖啶基或吩噁嗪基中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的结构式为：

11.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的结构式为：

12.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的发光薄膜，还包括第一电极和第二电极；

其中，所述发光薄膜位于所述第一电极和所述第二电极之间。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的发光器件。

14.一种如权利要求1-11中任一项所述的发光薄膜的制备方法，所述方法包括：

采用热激活延迟荧光材料形成发光薄膜；其中，所述热激活延迟荧光材料的通式为：

15.根据权利要求14所述的制备方法，当所述热激活延迟荧光材料的结构式为的情况下，所述方法包括：

形成第一中间体；

采用所述第一中间体形成第二中间体；所述第二中间体的结构式为

采用所述第二中间体和2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪形成结构式为的所述热激活延迟荧光材料。

16.根据权利要求14所述的制备方法，当所述热激活延迟荧光材料的结构式为的情况下，所述方法包括：

形成第三中间体；所述第三中间体的结构为

采用所述第三中间体和吩噁嗪形成结构式为的所述热激活延迟荧光材料。