[发明专利]宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器

权利要求书

1.一种宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，包括第一级密勒电容宽带匹配电路和后级共基共射放大电路，其特征在于，

所述第一级密勒电容宽带匹配电路，其输入端接收信号输入端的信号(IN)，将射频信号放大后经过极间电容输出到后级共基共射放大电路；

所述后级共基共射电路，其输入端连接密勒电容宽带匹配电路的输出并将信号进行第二级共基共射放大电路、第三级共基共射放大电路进行两级放大后，输出至信号输出端(OUT)；

所述密勒电容宽带匹配电路包括：第一晶体管(Q1)，第一电阻(R1)，第一电感(L1)，第二电感(L2)，第一电容(C1)和第二电容(C2)；

其中，所述第一晶体管(Q1)的基极与第一电容(C1)的第一端连接；所述第一晶体管(Q1)的集电极分别与第一电感(L1)的第一端、第二电容(C2)的第一端连接；所述第一晶体管(Q1)的发射极与第二电感(L2)的第一端连接；所述第一电阻(R1)与第一电感(L1)的第二端连接。

2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现。

3.根据权利要求1或2任意一项所述的宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，其特征在于，第二级共基共射放大电路包括：第二晶体管(Q2)，第四晶体管(Q4)，第三电感(L3)，第四电感(L4)，第三电容(C3)，第五电容(C5)；其中所述第二晶体管(Q2)的基极与第二电容(C2)的第二端连接；所述第二晶体管(Q2)的集电极与第四晶体管(Q4)的发射极连接；所述第二晶体管(Q2)的发射极与第四电感(L4)的第一端连接；所述第四晶体管(Q4)的集电极分别与第三电感(L3)的第一端、第三电容(C3)的第一端连接；所述第四晶体管(Q4)的基极与第五电容(C5)的第一端连接。

4.根据权利要求3所述的宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，其特征在于，所述第三级共基共射放大电路包括：第三晶体管(Q3)，第五晶体管(Q5)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3,)第五电感(L5)，第六电感(L6)，第四电容(C4)，第六电容(C6)；其中

所述第三晶体管(Q3)的基极与第三电容(C3)的第二端连接；所述第三晶体管(Q3)的集电极与第五晶体管(Q5)的发射极连接；所述第三晶体管(Q3)的发射极与第六电感(L6)的第一端连接；所述第五晶体管(Q5)的集电极分别与第五电感(L5)的第一端、第四电容(C4)的第一端连接；所述第五晶体管(Q5)的基极与第六电容(C6)的第一端连接；所述第二电阻(R2)的第一端与第五电感(L5)的第二端连接；所述第三电阻(R3)的第一端与第四电容(C4)的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，其特征在于，

所述第一电阻(R1)的第二端与电源VDD连接；所述第二电阻(R2)的第二端与电源VDD连接；所述第三电感(L3)的第二端与电源VDD连接；所述第五电容(C5)的第二端与电源VDD连接；所述第六电容(C6)的第二端与电源VDD连接；所述第四晶体管(Q4)的基极与电源VDD连接；所述第五晶体管(Q5)的基极与电源VDD连接；

所述第二电感(L2)的第二端与地连接；所述第四电感(L4)的第二端与地连接；所述第六电感(L6)的第二端与地连接；所述第五电容(C5)的第二端与地连接；所述第六电容(C6)的第二端与地连接；所述第三电阻(R3)的第二端与地连接；

所述第一晶体管(Q1)的基极与偏置电压Vbias1连接；

所述第二晶体管(Q2)的基极与偏置电压Vbias2连接；

所述第三晶体管(Q3)的基极与偏置电压Vbias3连接；

所述信号输入端(IN)连接第一电容(C1)的第二端；

所述第四电容(C4)的第二端、第三电阻(R3)的第一端连接信号输出端(OUT)。

6.根据权利要求4所述的宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)和第五晶体管(Q5)均为npn型异质结双极晶体管。