[发明专利]一种利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法在审
| 申请号: | 202110788969.X | 申请日: | 2021-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN113643237A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 郭扬扬;龚寒琴 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/62;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 sem review 图像 分析 晶圆面内 cd 均一 方法 | ||
1.一种利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于,至少包括:
步骤一、提供SEM review机台;
步骤二、利用所述SEM review机台的拍摄功能,对晶圆上待量测CD区域拍摄包含多个图形结构的多张照片;
步骤三、利用光谱拟合的图形处理方法将每张所述照片上的所述待量测CD区域的所述多个图形结构进行CD量测;所述光谱拟合的图形处理方法基于所述图形结构最宽两边的灰度不同抓取所述图形结构上最宽区域的两点;并且量测该两点之间的距离,该距离作为所述图形结构所需量测的CD值。
2.根据权利要求1所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤二中利用所述SEM review机台的拍摄功能,每次对晶圆的不同区域拍摄包含多个图形结构的照片数目为10000张。
3.根据权利要求1所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤二中每张所述照片中包含的图形结构数目大于50ea。
4.根据权利要求2所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤二中利用所述SEM review机台的拍摄功能拍摄10000张照片花费时间为1.5小时。
5.根据权利要求1所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤二中的所述图形结构为接触孔图形,并且所述接触孔图形不完全为圆形。
6.根据权利要求5所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤三中所述光谱拟合的图形处理方法基于所述接触孔图形最宽两边的灰度不同抓取所述接触孔图形上最宽区域的两点;并且量测该两点之间的距离,该距离作为所述接触孔图形所需量测的CD值。
7.根据权利要求1所述的利用SEM review图像分析晶圆面内CD均一性的方法,其特征在于:步骤三中所述图形结构的尺寸为100X。
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