[发明专利]发光装置及包括所述发光装置的电子设备在审
| 申请号: | 202110788066.1 | 申请日: | 2021-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN114068832A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 金珉冏;康南洙;朴旻虎;朴喜州;李东奎;李锺源;李炫植 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 包括 电子设备 | ||
1.发光装置,包括:
第一电极;
面对所述第一电极的第二电极;以及
设置在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层,其中
所述中间层包括第一发射层和设置在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层,
所述第一发射层包含第一化合物和第二化合物,
所述第二发射层包含第三化合物和第四化合物,
所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同,
所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同,
所述第四化合物包括选自电子传输化合物和双极化合物中的至少一种,以及
所述第一化合物包括第一荧光化合物,并且所述第三化合物包括满足方程式1的第二荧光化合物,或者
所述第一化合物包括所述满足方程式1的第二荧光化合物,并且所述第三化合物包括所述第一荧光化合物:
[方程式1]
△EST=S1-T1≤0.5eV
其中在方程式1中,
S1是所述第二荧光化合物的最低激发单重态能级,以及
T1是所述第二荧光化合物的最低激发三重态能级。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第二化合物包括空穴传输化合物。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中
所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同,或者
所述第一化合物和所述第四化合物彼此不同。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一发射层直接接触所述第二发射层。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一化合物和所述第三化合物中的每一种发射具有400nm至600nm的最大发光波长的光。
6.发光装置,包括:
第一电极;
面对所述第一电极的第二电极;
堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的m个发光单元;以及
设置在所述m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层,其中
m是2或大于2的整数,
所述发射层包括第一发射层和设置在所述第一发射层与所述第二电极之间的第二发射层,
所述第一发射层包含第一化合物和第二化合物,
所述第二发射层包含第三化合物和第四化合物,
所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同,
所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同,
所述第四化合物包括选自电子传输化合物和双极化合物中的至少一种,以及
所述第一化合物包括第一荧光化合物,并且所述第三化合物包括满足方程式1的第二荧光化合物,或者
所述第一化合物包括所述满足方程式1的第二荧光化合物,并且所述第三化合物包括所述第一荧光化合物:
[方程式1]
△EST=S1-T1≤0.5eV
其中在方程式1中,
S1是所述第二荧光化合物的最低激发单重态能级,以及
T1是所述第二荧光化合物的最低激发三重态能级。
7.如权利要求6所述的发光装置,其中从所述发光单元中的至少一个发射的光的最大发光波长不同于从其余发光单元中的至少一个发光单元发射的光的最大发光波长。
8.如权利要求6所述的发光装置,其中从所述m个发光单元中的每一个发射的光具有相同的最大发光波长。
9.电子设备,包括:
权利要求1至8中任一项所述的发光装置;以及
薄膜晶体管,其中
所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极,以及
所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。
10.如权利要求9所述的电子设备,进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





