[发明专利]一种基于多级场板的超结终端结构在审
| 申请号： | 202110787200.6 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113488529A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 赵建明;张宜尧;陈龙;陈彦旭;陈勇;徐开凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多级 终端 结构 | ||
1.一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区II和元胞区I，所述终端区II和元胞区I共用第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层和漏极金属；
终端区II包括：位于所述第一导电类型外延层中的多个通过第一导电类型外延层相隔离的相互独立的第二导电类型重掺杂掺杂柱区，位于器件边缘且在所述第一导电类型外延层上层的截止环，位于所述第一导电类型外延层之上呈互补排列的四层金属场板和场氧层；
元胞区I包括：位于所述第一导电类型外延层中的多个通过第一导电类型外延层相隔离的相互独立的第二导电类型重掺杂掺杂柱区，位于所述第二导电类型重掺杂掺杂柱区上方的第二导电类型重掺杂基区，位于所述第二导电类型重掺杂基区内的第二导电类型重掺杂源区，位于所述第二导电类型重掺杂基区内且在第二导电类型重掺杂源区两侧的第一导电类型源区，位于所述第一导电类型外延层之上且在第一导电类型源区之间的栅及其氧化层，位于所述第一导电类型外延层之上的源极金属层。
2.根据权利要求1所述的一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于，所述场氧层和金属场板都呈叉指状且互相交叉排列。
3.根据权利要求1所述的一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于，所述四层金属场板的长度呈1:2:3:4的关系。
4.根据权利要求1到权利要求3所述的一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于，所述金属场板的右端具有多层向外延伸的金属层，且每层厚度相等，任意相邻金属层的间距相同。
5.根据权利要求1到权利要求4所述的一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于，所述金属场板的层数可以随终端区II的长度而变化，可以是2、3、4，也可以是5、6，甚至更大。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的一种基于多级场板的超结终端结构，其特征在于：第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
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