[发明专利]具有弯曲吸收区的雪崩光电二极管器件

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管APD器件，包括：

在半导体层中形成的第一接触区和第二接触区；

在所述半导体层上形成的吸收区，其中所述吸收区被至少部分地形成在所述半导体层的第一区上，其中所述第一区被布置在所述第一接触区和所述第二接触区之间；

在所述半导体层中被形成在所述第一区和所述第二接触区之间的电荷区；以及

在所述半导体层中被形成在所述电荷区和所述第二接触区之间的放大区；

其中所述吸收区在所述半导体层上是弯曲的。

2.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述吸收区的弯曲部分具有平行于所述半导体层的层平面的半径。

3.如权利要求1或2所述的APD器件，其中：

所述吸收区的弯曲部分半径在1-10μm，特别是在2-5μm的范围内。

4.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述第一接触区和所述第二接触区和/或所述电荷区和/或所述放大区在所述半导体层的所述层平面中是弯曲的。

5.如权利要求4所述的APD器件，其中：

所述放大区和/或所述第一接触区和所述第二接触区和/或所述电荷区的弯曲部分与所述吸收区的弯曲部分同心。

6.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述吸收区包括并排布置的本征部分和掺杂部分。

7.如权利要求6所述的APD器件，其中：

所述吸收区被部分地形成在所述第一接触区上，其中所述本征部分被形成在所述第一区上并且所述掺杂部分被形成在所述第一接触区上。

8.如权利要求6或7所述的APD器件，其中：

所述吸收区的上表面由所述掺杂部分形成。

9.如权利要求6所述的APD器件，其中：

所述吸收区的所述掺杂部分具有与所述第一接触区相同的导电类型，具体而言是p型。

10.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述吸收区包括锗，具体而言包括本征锗和掺杂锗。

11.如权利要求1所述的APD器件，其中所述吸收区被形成在所述半导体层的凹部中，具体而言在跨越所述第一区以及所述第一接触区的一部分的凹部中。

12.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述放大区的宽度在0.05-1μm的范围内；并且/或者

所述电荷区的宽度在0.05-0.3μm的范围内。

13.如权利要求1所述的APD器件，其中：

所述放大区由所述半导体层的本征区形成。

14.如权利要求1所述的APD器件，进一步包括：

在所述第一接触区上形成的第一接触部以及在所述第二接触区上形成的第二接触部。

15.一种用于形成APD器件的方法，其中所述方法包括：

在半导体层中形成第一接触区和第二接触区；

在所述半导体层上形成吸收区，其中所述吸收区被至少部分地形成在所述半导体层的第一区上，其中所述第一区被布置在所述第一接触区和所述第二接触区之间；

在所述半导体层中在所述第一区和所述第二接触区之间形成电荷区；以及

在所述半导体层中在所述电荷区和所述第二接触区之间形成放大区；

其中所述吸收区被弯曲地形成在所述半导体层上。