[发明专利]一种半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源面和与所述有源面相对的背面；

在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层；

将所述衬底固定至第一临时载体，使所述蚀刻停止层位于所述衬底和所述第一临时载体之间；

刻蚀所述衬底至所述蚀刻停止层，形成至少一个贯穿所述衬底的通孔结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述蚀刻停止层包括第一子层和第二子层；

在所述衬底的所述背面形成蚀刻停止层，包括：在所述衬底的所述背面形成所述第一子层；在所述第一子层上形成所述第二子层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅，所述第二子层的材料包括氧化硅；或，所述第一子层的材料包括氧化硅，所述第二子层的材料包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供衬底，包括：提供晶圆，减薄所述晶圆以得到所述衬底。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔结构内形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述通孔结构的侧壁；所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中至少一种。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔结构内形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述绝缘层；所述阻挡层包括钽或钛中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述通孔结构内形成第一导电层，所述第一导电层完全填充所述通孔结构，且所述第一导电层通过所述阻挡层与所述绝缘层隔离；所述第一导电层包括铜或钨中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述有源面上形成重分布层，所述重分布层与所述第一导电层电连接；在所述重分布层上形成导电凸块。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：移除所述第一临时载体；将所述衬底固定到第二临时载体，所述重分布层和所述导电凸块位于所述衬底和所述第二临时载体之间。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述蚀刻停止层中形成开口，所述开口至少暴露出所述通孔结构内的所述第一导电层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：形成第二导电层，所述第二导电层填充所述开口且覆盖所述蚀刻停止层；

移除覆盖所述蚀刻停止层的所述第二导电层以形成填充所述开口的焊盘结构。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电层的材料与所述第一导电层的材料相同。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形状包括矩形、圆形、椭圆形、梯形或三角形。