[发明专利]一种双分裂整流变压器

说明书

本发明公开了一种双分裂整流变压器，包括上铁轭、下铁轭、铁心主柱，上铁轭和下铁轭之间还包括高压绕组、低压绕组LVD和低压绕组LVY；低压绕组LVD沿幅向分裂为第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD；低压绕组LVY设置在第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间；高压绕组设置于低压绕组LVD的幅向外侧，并和相邻的第二低压绕组LVD设置有接地屏蔽，高压绕组的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线。本申请提供的双分裂整流变压器通过上述设置能够避免无载分接线与接地屏蔽的干涉，避免分接线与接地屏蔽绝缘距离过小造成耐压击穿的风险，并能够节省工时，提升产品的生产效率。

技术领域

本发明涉及变压器技术领域，更具体地说，涉及一种双分裂整流变压器。

背景技术

整流变压器是整流设备的电源变压器。现有技术中整流变压器的线圈中，高压中部进线和分接段分接引线都要从高压和低压之间的主空道轴向引出，导致引线焊接工时增加，线圈绕制工期长；另外，由于高压和低压之间设计有接地屏蔽，但分接引线占用了较大的主空道的绝缘距离，导致分接引线与地屏蔽之间的绝缘距离不足导致试验耐压击穿，也容易因分接引线与高压线圈之间的距离不足而导致击穿。

综上所述，如何避免线圈绕制工期长且易导致分接引线对接地屏蔽之间耐压击穿的问题，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种双分裂整流变压器，该双分裂整流变压器绕制制作的工期短，且避免了高压分接引线与接地屏蔽绝缘距离小导致耐压击穿的风险。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种双分裂整流变压器，包括上铁轭、下铁轭、铁心主柱，所述上铁轭和所述下铁轭之间还包括高压绕组、低压绕组LVD和低压绕组LVY；

所述低压绕组LVD沿幅向分裂为第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD；

所述低压绕组LVY设置在所述第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间；

所述高压绕组设置于所述低压绕组LVD的幅向外侧，并和相邻的所述第二低压绕组LVD之间设置有接地屏蔽，所述高压绕组的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线。

优选地，所述无载分接线为所述高压绕组的原导线引线。

优选地，所述低压绕组LVY为y接法结构。

优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD和所述低压绕组LVY为同时套绕结构，或者均为单独绕制再套装结构。

优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈底部引出线在外部串联冷压连接。

优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈的绕线方向相反。

优选地，所述低压绕组LVY以及所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈进线位置均为上端或下端，且出线位置均为上端或下端。

优选地，低压绕组和所述低压绕组LVY的引出线通过电缆冷压接连接套管。

本发明提供的双分裂整流变压器的低压绕组LVD沿幅向分裂为两个部分，即第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD，低压绕组LVY布置在第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间，高压绕组布置在最外侧，高压绕组和低压绕组之间设置有接地屏蔽，高压绕组的进线设置在其端部，高压分接出线设置在其中部，且为幅向向外部的方向，因此，出现不占用主空道的绝缘距离，且与接地屏蔽之间不干涉，不会产生耐压击穿，不需要进行复杂的焊接引线，沿幅向分裂的布置的低压绕组可以同时进行绕制，均可减少了焊接工时，缩短了制造工期。

附图说明