[发明专利]一种去除光刻胶的方法

说明书

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶的方法，包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；去除牺牲层，以使得牺牲层和光刻胶层被剥离去除，进而能够在经过硬烤处理之后，将不容易去除的光刻胶层，通过去除牺牲层的方式，将光刻胶层去除，进而有效去除光刻胶层。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶的方法。

背景技术

现有技术中在去除光刻胶时，一方面可以采用湿法刻蚀去除，另一方面可以采用干法刻蚀去除。

其中，对高度交联后的厚胶使用显影液进行去除，但是，难以去除彻底，然后对于局部残留或者残留微孔隙的光刻胶，采用热丙酮溶液进行去除，但是效果不佳。

在采用干法刻蚀去除时，需要对时间以及刻蚀功率进行控制，均不能过大，否则光刻胶则容易发黑变性更加难以去除。

因此，如何有效地对光刻胶进行去除是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的去除光刻胶的方法。

第一方面，本发明提供了一种去除光刻胶的方法，包括：

在衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；

去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。

优选地，在所述衬底上形成牺牲层，包括：

在所述衬底上形成光阻层。

优选地，在所述衬底上形成牺牲层，包括：

在所述衬底上形成非金属氧化物层或氮化物层。

优选地，所述牺牲层的厚度为小于或等于2μm。

优选地，在所述牺牲层上形成光刻胶层之后，还包括：

对所述光刻胶层进行软烘。

优选地，所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域，包括：

在所述光刻胶层为光刻正胶层时，对所述光刻正胶层进行曝光、烘烤、显影，去除曝光的区域，以形成刻蚀区域。

优选地，所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域，包括：

在所述光刻胶层为光刻负胶层时，对所述光刻负胶层进行曝光、烘烤、显影，去除未曝光的区域，以形成刻蚀区域。

优选地，在所述对所述光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域之后，还包括：

在所述刻蚀区域进行电镀或微孔刻蚀。

优选地，所述去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除，包括：

在所述牺牲层为所述光阻层时，采用所述光阻层材料的易溶溶液对所述牺牲层进行浸泡，以使的所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。

优选地，所述去除所述牺牲层，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除，包括：

在所述牺牲层为所述非金属氧化物层或氮化物层时，对所述非金属氧化物层或氮化物层进行湿法刻蚀处理，以使得所述牺牲层和所述光刻胶层被剥离去除。

本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：