[发明专利]超颖光学器件和包括超颖光学器件的电子装置在审

专利信息
申请号: 202110781609.7 申请日: 2021-07-08
公开(公告)号: CN114200554A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 文祥银;朴贤秀;朴贤圣;韩承勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02B3/00 分类号: G02B3/00;G02B5/00;B82Y20/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴晓兵
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学 器件 包括 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种超颖光学器件,包括:

多个相位调制区域,沿第一方向布置并被配置为对入射光的相位进行调制,所述多个相位调制区域中的每一个包括多个纳米结构,所述多个纳米结构的形状和布置是根据针对所述多个相位调制区域中的每一个所设置的相应规则而确定的;以及

补偿区域,位于所述多个相位调制区域中的彼此相邻的第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域之间并包括补偿结构,所述补偿结构用于根据所述第k相位调制区域和所述第(k+1)相位调制区域的相应规则来缓冲在所述第k相位调制区域和所述第(k+1)相位调制区域之间的边界区域中发生的有效折射率变化,

其中N是所述多个相位调制区域的数量,k和N是自然数,并且K等于或大于1且小于N。

2.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中,所述第k相位调制区域和所述第(k+1)相位调制区域被配置为对入射光的相位进行调制以根据在所述第一方向上的位置而具有相同的相变斜率符号。

3.根据权利要求2所述的超颖光学器件,其中:

在所述第k相位调制区域中的所述多个纳米结构中,最靠近所述补偿区域的纳米结构在所述第一方向上的宽度为wa

在所述第(k+1)相位调制区域中的所述多个纳米结构中,最靠近所述补偿区域的纳米结构在所述第一方向上的宽度为wb,并且

所述补偿结构的宽度wc在wa和wb之间。

4.根据权利要求3所述的超颖光学器件,其中,所述补偿结构包括在所述第一方向上具有相同宽度并且沿所述第一方向布置的两个或更多个补偿结构。

5.根据权利要求3所述的超颖光学器件,其中,所述补偿结构包括沿所述第一方向布置的两个或更多个补偿结构,并且

其中,所述两个或更多个补偿结构的宽度随着在所述第一方向上从wa到wb的变化模式而逐渐变化。

6.根据权利要求1所述的超颖光学器件,其中:

所述多个相位调制区域具有圆形形状或围绕所述圆形形状的环形形状,并且

所述第一方向是从所述圆形形状的中心朝所述超颖光学器件的边界延伸的径向。

7.根据权利要求6所述的超颖光学器件,其中,当所述多个相位调制区域按照从所述中心开始的顺序是第m区域并且m大于或等于2且从2增大至N时,所述第m区域全部都在所述径向上具有从第一相位到第二相位的相位调制范围,并且

其中,所述第一相位和所述第二相位之差为2π或更小。

8.根据权利要求6所述的超颖光学器件,其中,所述多个相位调制区域在所述径向上的宽度在从所述中心到所述超颖光学器件的边界的方向上减小。

9.根据权利要求6所述的超颖光学器件,其中:

所述补偿区域包括多个补偿区域,并且

沿所述径向布置的所述多个补偿区域的宽度具有相同的值或在从所述中心到所述超颖光学器件的边界的方向上减小。

10.根据权利要求6所述的超颖光学器件,其中:

所述补偿区域包括多个补偿区域,并且

在所述多个相位调制区域和所述多个补偿区域之中的处于彼此相邻的位置处的相位调制区域和补偿区域中,所述补偿区域的宽度与所述相位调制区域的宽度的比在从所述中心到所述超颖光学器件的边界的方向上增大。

11.根据权利要求10所述的超颖光学器件,其中,所述比为25%或更小。

12.根据权利要求6所述的超颖光学器件,其中:

所述补偿区域包括多个补偿区域,并且

所述多个补偿区域的数量与所述多个相位调制区域的数量的比为50%或更大。

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