[发明专利]包括具有改进的处理特性的热界面材料的半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件封装(100)，包括：

导电载体(10)；

半导体管芯(20)，设置在所述载体(10)上；

密封剂(40)，密封所述载体(10)的部分和所述半导体管芯(20)；

电绝缘且导热的界面结构(30)，特别地，覆盖所述载体(10)的暴露表面部分和所述密封剂(40)的连接表面部分；

其中，所述界面结构(30)包括在-40℃至150℃之间的范围内的玻璃化转变温度，更具体地，所述范围的下限为-30℃、-20℃、-10℃、0℃、10℃、20℃或30℃，更具体地，所述范围的上限为140℃、130℃、120℃、110℃、100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃或40℃。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)包括树脂材料，特别是环氧树脂材料。

3.根据权利要求2所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)包括填充有填料颗粒的树脂基体，特别地，填料颗粒包括由金属氧化物、金属氮化物、氧化铝、氧化硅、氮化硼、氧化锆、氮化硅、金刚石和氮化铝组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述填料颗粒的质量百分比在75％和98％之间的范围内，更具体地，所述范围的下限为80％、85％、90％或95％，更具体地，所述范围的上限为97％、96％或95％。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)在22℃的温度下包括在50MPa和500MPa之间的范围内的硬度，更具体地，所述范围的下限为60MPa、70MPa、80MPa、90MPa或100MPa，更具体地，所述范围的上限为450MPa、400MPa、350MPa、300MPa、250MPa、200MPa、150MPa或100MPa。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)在100℃的温度下包括在10MPa和100MPa之间的范围内的硬度，更具体地，所述范围的下限为20MPa、30MPa、40MPa或50MPa，更具体地，所述范围的上限为90MPa、80MPa、70MPa、60MPa或50MPa。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)在22℃的温度下包括在1MPa和30MPa之间的范围内的杨氏模量，更具体地，所述范围的下限为2MPa、3MPa、4MPa、5MPa、6MPa、7MPa、8MPa、9MPa或10MPa，更具体地，所述范围的上限为28MPa、26MPa、24MPa、22MPa、20MPa、18MPa、16MPa、14MPa、12MPa或10MPa。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)在100℃的温度下包括在0.1MPa和5MPa之间的范围内的杨氏模量，更具体地，所述范围的下限为0.2MPa、0.3MPa、0.4MPa、0.5MPa、0.6MPa、0.7MPa、0.8MPa、0.9MPa或1.0MPa，更具体地，所述范围的上限为4.5MPa、4.0MPa、3.5MPa、3.0MPa、2.5MPa、2.0MPa、1.5MPa或1.0MPa。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体器件封装(100)，其中，

所述界面结构(30)包括在50μm和1000μm之间的范围内的厚度，更具体地，所述范围的下限为60μm、70μm、80μm、90μm或100μm，更具体地，所述范围的上限为900μm、800μm、700μm、600μm、500μm、400μm、300μm或200μm。