[发明专利]半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，包括：

提供基板，包括暴露在阻焊层外的至少一个芯片安装区和芯片安装区周围的多个焊盘区；

在基板上形成保护膜，覆盖至少一个芯片安装区、多个焊盘区和阻焊层；

去除部分保护膜，暴露至少一个芯片安装区；

在至少一个芯片安装区上涂覆粘结剂，放置芯片，并固化粘结剂；

去除剩余的保护膜，暴露多个焊盘区；

在多个焊盘区执行引线键合。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，基板是有机载板、无机载板、载带封装基板或引线框架；保护膜是DAF膜、、光敏树脂或热敏树脂；粘结剂是导电胶或非导电胶。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其中，光敏树脂是UV膜或蓝膜；非导电胶是环氧树脂胶或玻璃胶。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，去除剩余的保护膜的步骤在放置芯片之后、固化粘结剂之前进行；去除部分保护膜的步骤和/或去除剩余的保护膜的步骤采用机械冲压、激光剥离、UV光照、电子束照射或红外线照射。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，保护膜的厚度为大于0且小于或等于100微米。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，在至少一个芯片安装区的边界上局部地增大保护膜的厚度而形成挡堤。

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，至少一个芯片安装区的周围具有一个或多个溢流保护槽。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，形成保护膜的步骤进一步包括，涂覆液态保护膜材料期间在溶液中加入改性颗粒并随后固化、或者在贴合购买的保护膜之前在基板顶面上或保护膜底面上涂布改性颗粒并加热使其扩散，从而至少在所述至少一个芯片安装区内以及周围的保护膜中掺杂负热膨胀介质材料的改性颗粒。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，粘结剂与所述至少一个芯片安装区的边界之间的距离大于或等于保护膜厚度的10％至100％。

10.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其中，当采用加热去除保护膜时稍后的去除剩余保护膜的步骤所采用的温度低于此前去除部分保护膜的步骤所采用的温度，当采用辐照去除保护膜时稍后的去除剩余保护膜的步骤所采用的辐射能量低于此前去除部分保护膜的步骤所采用的辐射能量，当采用机械剥离去除保护膜时稍后的去除剩余保护膜的步骤所采用的力低于此前去除部分保护膜的步骤所采用的力。