[发明专利]全环绕栅极晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110778341.1 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113539792A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 母志强;刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环绕 栅极 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供Si衬底；
在所述Si衬底上外延生长多个周期交替的Si/Si1-xGex超晶格和硅间隔层，以得到Si/Si1-xGex超晶格与硅间隔层交替层叠的堆叠结构，其中0x≤1；
对所述堆叠结构的表面进行图形化处理，将氧离子注入到所述堆叠结构的图形化区域内的每一Si/Si1-xGex超晶格中，注入的所述氧离子的浓度峰值位于每一Si/Si1-xGex超晶格的中部；
对所述堆叠结构进行退火以在所述图形化区域的Si/Si1-xGex超晶格中形成局部埋氧层；
采用选择性腐蚀工艺去除所述局部埋氧层，以形成多层悬空的纳米片堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：至少一Si/Si1-xGex超晶格中的Ge含量与另一Si/Si1-xGex超晶格中的Ge含量不同。
3.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：各Si/Si1-xGex超晶格中的Ge含量相同。
4.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：Si/Si1-xGex超晶格中的Si层和Si1-xGex层各自具有10nm以下的厚度，且所述硅间隔层具有10nm-100nm的厚度。
5.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：在1000℃-1400℃的温度范围内执行所述退火。
6.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：以O2与以下气体中的任一种的组合作为气氛执行所述退火：Ar和N2。
7.根据权利要求6所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：所述O2占气体总体积的含量以体积比计为1～15％。
8.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：以纯N2为气氛执行所述退火。
9.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：所述选择性腐蚀工艺是湿法腐蚀或气相腐蚀中的一种。
10.根据权利要求1所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：在所述退火的过程中，Si/Si1-xGex超晶格的Si1-xGex层中的Ge向硅层和所述硅间隔层扩散，使获得的所述多层悬空的纳米片是多层悬空的Si1-mGem层，其中0m≤1。
11.根据权利要求10所述的多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法，其特征在于：Si1-mGem层中的Ge含量小于对应的所述Si/Si1-xGex超晶格的Si1-xGex层中的Ge含量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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