[发明专利]用于玻璃上传感器的方法和结构

权利要求书

1.一种用于在衬底上提供半导体层布置的方法(100)，包括：

提供(110)具有功能层和半导体衬底层的半导体层布置；

将所述半导体层布置附接(120)到玻璃衬底层，使得所述功能层被布置在所述玻璃衬底层与所述半导体衬底层之间；以及

至少部分地去除(130)所述半导体衬底层，使得所述玻璃衬底层代替作为所述半导体层布置的所述衬底的所述半导体衬底层。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中将所述半导体层布置附接(120)到所述玻璃衬底层包括执行晶片键合过程。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中提供(110)所述半导体层布置包括：

提供(210)所述半导体衬底层；以及

在所述半导体衬底层上形成(220)所述功能层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中去除(130)作为所述半导体层布置的所述衬底的所述半导体衬底层包括：执行研磨过程和/或蚀刻过程来研磨所述半导体衬底层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在所述半导体层布置处、在与所述玻璃衬底层相对的一侧处提供(310)另外的层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述另外的层包括金属化层、钝化层以及保护性抗蚀剂层中的至少一个。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在所述玻璃衬底层中提供(410)至少一个开口，以从所述玻璃衬底层局部地露出所述功能层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述玻璃衬底层中提供所述至少一个开口包括激光改性过程。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中在所述玻璃衬底层中提供所述至少一个开口包括：

激光改性过程，用于将所述玻璃衬底层的材料局部改性为经改性的玻璃材料；以及

湿法蚀刻过程，用于蚀刻经改性的玻璃材料来获得所述至少一个开口，其中所述激光改性过程在将所述半导体层布置附接到所述玻璃衬底层之前或之后执行。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中提供所述至少一个开口包括：在所述玻璃衬底层中的所述至少一个开口中提供3D结构。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在所述功能层的、与所述玻璃衬底层相对的一侧处，去除层的至少一部分。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在已经代替作为所述半导体层布置的所述衬底的所述半导体衬底层之后，仅在低于400℃的工艺温度下处理所述半导体层布置。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述功能层包括膜结构。

14.一种MEMS结构，包括：

玻璃衬底层(30)；

功能层(22)，被布置在所述玻璃衬底层(30)处；

至少一个开口(50)，在所述玻璃衬底层(30)中，局部地露出所述功能层(22)的至少一部分；以及

3D结构(55)，在所述至少一个开口(50)中。

15.根据权利要求14所述的MEMS结构，其中所述3D结构(55)在沿着与所述玻璃衬底层(30)的主表面(31)的表面法线垂直的横向方向的所述至少一个开口(50)中包括变化的厚度。