[发明专利]一种基于多层WS2

权利要求书

1.一种基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于包括以下步骤：

1）WS₂薄膜的制备：

以硅基为衬底，采用原子层沉积技术 (ALD)生长WS₂薄膜，以六羰基钨W(CO)₆和硫化氢作为反应前驱体，将高纯氮气以100～150 sccm的流速连续吹扫反应腔室，反应温度设置为300～400℃；每一个ALD循环包含四个过程：首先，通入气相的六羰基钨（W(CO)₆）0.1～0.2s，在衬底上发生化学吸附；然后，氮气吹扫5～10s，将反应过后的剩余反应物吹扫干净；接着通入硫化氢0.8～1.5s，最后，等待氮气吹扫5～10s，清除剩余反应物和化学反应的副产物；通过控制循环数40～150个循环，得到多层WS₂结构的WS₂/Si样品；

2）位置探测器器件的构筑：

在所得的WS₂/Si样品表面通过压焊铟电极、涂布导电银胶、光刻Au电极方法制备电极，位置探测器器件构筑完毕。

2.根据权利要求1所述的基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，所述的硅基进行基底处理：将商业硅基先依次使用酒精、丙酮、酒精和去离子水超声波清洗各10~20分钟，清除表面的灰尘和油脂，清洗完成后真空5~20℃烘干备用。

3.根据权利要求1所述的基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，步骤1)中将高纯氮气以150 sccm的流速连续吹扫反应腔室，反应温度设置为350℃。

4.根据权利要求1所述的基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于步骤1)中，ALD反应的循环设计为：首先，通入气相的六羰基钨（W(CO)₆）0.1s；然后，氮气吹扫7s；接着，通入硫化氢1s，最后，等待氮气吹扫8s；循环次数为80次。

5.根据权利要求1所述的基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，步骤2）电极材料选用铟，为压焊铟电极。

6.根据权利要求1至5所述的基于多层WS₂/Si结构的高灵敏度位置探测器的构筑方法，其特征在于，按以下步骤构筑：

1）首先将商用硅基底依次使用酒精、丙酮、酒精和去离子水超声波清洗各15分钟，清除表面的灰尘和油脂，清洗完成后真空12℃烘干，得到所需的衬底材料，备用。

2）WS₂薄膜的制备：

以六羰基钨W(CO)₆和硫化氢作为反应前驱体，将高纯氮气以150 sccm的流速连续吹扫反应腔室，反应温度设置为350℃；每一个ALD循环包含四个过程：首先，通入气相的六羰基钨（W(CO)₆）0.1s，在衬底上发生化学吸附；然后，氮气吹扫7s，将反应过后的剩余反应物吹扫干净；接着通入硫化氢1s，最后，等待氮气吹扫8s，清除剩余反应物和化学反应的副产物；通过控制循环数80个循环，得到多层WS₂结构的WS₂/Si样品；

3）位置探测器器件的构筑：

在所得的WS₂/Si样品表面压焊铟电极，位置探测器器件构筑完毕。