[发明专利]一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺

说明书

本发明公开了一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，具体涉及柔性触控显示屏加工技术领域，包括以下步骤：步骤一、制作驱动电路基板；步骤二、制作LED磊晶薄膜结构；步骤三、批量转移：根据驱动电路基板上所需的显示像素点间距，转移基板的下表面富有弹性膜，Micro‑LED晶片粘附在弹性膜的表面；步骤四、焊接。本发明通过利用暂时转移基板批量转移Micro‑LED晶片，在转移的过程中利用带有磁性粉末的弹性膜和电磁铁将Micro‑LED晶片的转移到目标衬底上，从而能够顺利完成多个Micro‑LED晶片的批量转移，而且利用电磁铁与带有磁性的弹性膜进行批量转移，不仅结构简单，而且成本较低从而能够降低该生产步骤的成本，进而能够有效的降低整个Micro‑LED柔性触控显示屏的生产成本。

技术领域

本发明涉及柔性触控显示屏加工技术领域，具体涉及一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺。

背景技术

QLED虽然同样如LCD需依靠背光源，也承袭了其缺点，但透过量子点薄膜(QDEF)能发出更纯的色彩。而近年来积极发展的QD-OLED则是更进一步，直接用蓝色OLED光源，激发不同粒径大小的量子点转换成红光和绿光。不仅性能提升，成本也将提升，加上喷墨印刷制程，有困难广泛推广市场。不过目前QD-OLED技术，由于光转换率仍偏低，虽然近期不断有乐观消息传出，但总体上商业化准备还不足。Micro-LED技术与当下流行的LCD、OLED显示技术相比，具有更高的亮度、发光效率，更容易实现自由弯曲特性。因此，从原理上来讲，Micro-LED可以应用于一切显示设备上，包括智能手机、高清电视、户外超大屏显示等。比现有的LED、小间距LED更加应用广泛，可实现更加细腻的显示效果。Micro-LED制备需将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，以实现高分辨率。整个制程对转移过程要求极高，良率需达99.9999％，精度需控制在正负0.5μm内，难度极高，需要更加精细化的操作技术。

Micro-LED则致力于直接封装发光元件，能做到单独驱动无机自发光，甚至性能更胜OLED，被业界誉为新蓝海。虽然制程简化，但技术更具创新，成本低工艺、可具备当今被推广应用、尤其是巨量转移(Mass Transfer)技术更将直接影响未来MiniLED的设计周期及Micro-LED的量产契机。

目前Micro-LED触控显示屏存在一些不足：由于Micro-LED晶片在生产的过程中批量转移所花费的成本较高，从而容易直接影响整个Micro-LED触控显示屏生产成本，使得整个Micro-LED触控显示屏的生产成本较高，而且现有技术中由于LED芯片的体积较小，所以LED芯片与驱动电路板之间所填充的焊料较少，使得整体的焊接强度较小，从而容易造成LED芯片从驱动电路板上脱落。

发明内容

为此，本发明提供一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，通过利用暂时转移基板批量转移Micro-LED晶片，在转移的过程中利用带有磁性粉末的弹性膜和电磁铁将Micro-LED晶片的转移到目标衬底上，从而能够顺利完成多个Micro-LED晶片的批量转移，而且利用电磁铁与带有磁性的弹性膜进行批量转移，不仅结构简单，而且成本较低从而能够降低该生产步骤的成本，进而能够有效的降低整个Micro-LED柔性触控显示屏的生产成本，以解决现有技术中由于批量转移过程中花费的成本较高导致的Micro-LED柔性触控显示屏生产成本过高的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，包括以下步骤：

步骤一、制作驱动电路基板：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；由上至下依次刻蚀P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；在P型GaN层上表面生长ITO层，并对ITO层进行刻蚀，生成第二沟槽；在第一沟槽中生成N型接触电极；在N型接触电极上表面以及第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极，以制成驱动电路基板；