[发明专利]沟槽型MOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供制作有沟槽栅结构的衬底；

在所述衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；

在所述氮化硅层表面形成介质层；

在所述介质层中形成接触孔；

在介质层表面形成顶部金属层；

沉积钝化层；

对所述钝化层进行光刻和刻蚀；

利用紫外线光照射所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化层进行光刻和刻蚀，包括：

通过光刻工艺在所述钝化层表面定义钝化层图案；

根据所述钝化层图案刻蚀所述钝化层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述利用紫外线光照射所述衬底之前，所述方法还包括：

通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层进行合金。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述利用紫外线光照射所述衬底之后，所述方法还包括：

通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层薄膜进行合金。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽栅结构位于外延层中，所述外延层位于所述衬底表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层中形成接触孔，包括：

通过光刻工艺在所述介质层表面定义接触孔图案；

根据所述接触孔图案刻蚀所述介质层，形成接触孔。