[发明专利]多尔蒂功率放大器、系统及控制方法在审
| 申请号： | 202110775004.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113395045A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 胡自洁;邱皓川;倪建兴 | 申请（专利权）人： | 锐石创芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/07 |
| 代理公司： | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人： | 朱业刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多尔蒂 功率放大器 系统 控制 方法 | ||
1.一种多尔蒂功率放大器，其特征在于，包括：
载波放大电路；
峰值放大电路；
峰值偏置电路，被配置为提供峰值偏置信号至所述峰值放大电路；
检测控制电路，被配置为检测所述载波放大电路的工作状态，并在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述峰值偏置电路；其中，所述第二峰值偏置信号的幅值大于所述第一峰值偏置信号的幅值。
2.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第一偏置信号，所述第一偏置信号不足以使所述载波放大电路导通；
在所述载波放大电路接近饱和状态或者到达饱和状态时，所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第二偏置信号，所述第二偏置信号足以使所述载波放大电路导通；
其中，所述第二偏置信号的幅值大于所述第一偏置信号的幅值。
3.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述检测控制电路包括第一偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。
4.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管；
所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
所述第二偏置信号源，被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；
所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。
5.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器，其特征在于，所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源；所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管和第二峰值偏置晶体管；
所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
所述第二偏置信号源的输出端与所述第二峰值偏置晶体管的第一端相连，所述第二峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连，所述第二峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连；
所述第二偏置信号源，被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管；
所述第一偏置信号源，被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时，提供第一峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管；在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时，提供第二峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管。
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