[发明专利]一种π/2翻转器在审
申请号: | 202110773963.5 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113433145A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 李远;郑勇;石勇;吴克常;王岳彬 | 申请(专利权)人: | 湖南科美达电气股份有限公司 |
主分类号: | G01N23/20008 | 分类号: | G01N23/20008;G01N23/20 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 秦月贞 |
地址: | 414000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 翻转 | ||
本发明公开了一种π/2翻转器,包括2个骨架和屏蔽罩,骨架左右壁上设有供中子束通过的方孔一和方孔二,骨架右壁上设有卡槽,所述骨架右壁卡槽内设有定距板,调整板上设有凸台、凸缘、U型槽,调整板通过凸台卡入所述方孔二中,骨架之间相互旋转90度通过连接件连接,所述连接件上设有若干沉头孔,再用螺栓穿过所述沉头孔拧入螺纹孔固定连接;2个连接的骨架外部套设有屏蔽罩,所述屏蔽罩中心面与2个骨架接触面对齐,并通过螺栓固定安装在所述骨架上。本发明通过定距板实现导线的均匀排布,通过调整板提高电流屏处绕线平整度,通过屏蔽罩屏蔽外界磁场干扰,三种措施的综合运用,极大地提高了磁场精度。
技术领域
本发明涉及电磁铁技术领域,具体来说,涉及一种π/2翻转器。
背景技术
在利用极化中子散射方法对材料微观结构进行研究时需要对极化中子进行调控,对极化中子调控通常采用外加磁场,利用磁场前后矢量方向的翻转改变中子的自旋与其导向磁场之间的相对角度,将中子极化方向进行90°翻转,实现调控极化中子的目的。
发明内容
针对相关技术中的上述技术问题,本发明提出一种π/2翻转器,能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种π/2翻转器,包括2个骨架和屏蔽罩,其特征在于,所述骨架四壁均设有镂空的包围结构,骨架左右壁上设有供中子束通过的方孔一和方孔二,骨架前后壁上设有用于降重的V型孔,骨架上设有环绕一周的V型沉槽,骨架右壁上设有卡槽,骨架上设有若干螺纹孔,所述骨架右壁卡槽内设有定距板,定距板上设有等间距分布的定位槽,线圈缠绕时将导线卡入定位槽,调整板上设有凸台、凸缘、U型槽,调整板中心设有矩形孔,调整板通过凸台卡入所述方孔二中,翻转器顶部与正面一角均设有接线盒,翻转器底部通过螺栓固定有安装脚,骨架之间相互旋转90度通过连接件连接,所述连接件上设有若干沉头孔,再用螺栓穿过所述沉头孔拧入螺纹孔固定连接; 2个连接的骨架外部套设有屏蔽罩,所述屏蔽罩中心面与2个骨架接触面对齐,并通过螺栓固定安装在所述骨架上。
进一步地,所述连接件和骨架材质均为无磁材料,所述连接件截面为等边L型长条状物体。
进一步地,所述定位槽的宽度与线圈的单根导线宽度一致;所述线圈外形与所述骨架上的V型沉槽一致。
进一步地,所述调整板卡入方孔二后使用胶水粘接。
进一步地,所述线圈所有导线缠绕进所述V型沉槽中,左侧导线集中在上下两边,前后两面逐渐稀疏排列过渡至右侧,从前至后逐渐由多匝多层过渡为多匝单层,右侧面呈单线分布形成电流屏,随着骨架的垂直旋转安装,左右线圈的导线在电流屏处90°垂直交叉。
进一步地,所述线圈导线在电流屏处呈90度交叉,当有电流流经线圈时,电流方向也相差90°,该电流所产生的磁场矢量方向也相差90°。
进一步地,所述屏蔽罩材质为高导磁材料,屏蔽罩为左右两端相通的方型包围结构,当存在外界磁场干扰时,外界磁场将在屏蔽罩中磁短路,避免对电流屏处的磁场产生干扰。
本发明的有益效果为:通过电磁铁左右线圈在电流屏处的90°交叉排列,实现翻转器前后磁场矢量方向的90°翻转,以实现对极化中子束进行调控的目的;通过定距板实现导线的均匀排布,通过调整板提高电流屏处绕线平整度,通过屏蔽罩屏蔽外界磁场干扰,三种措施的综合运用,极大地提高了磁场精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例所述的π/2翻转器的外部结构示意图。
图2是根据本发明实施例所述的π/2翻转器的爆炸图。
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